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FDP047N10产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDP047N10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDP047N10价格参考¥12.12-¥12.67。Fairchild SemiconductorFDP047N10封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 120A(Tc) 375W(Tc) TO-220AB。您可以下载FDP047N10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDP047N10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDP047N10 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FDP047N10 的低导通电阻(Rds(on) = 47 mΩ @ Vgs = 10V)使其非常适合用于高效能的开关电源设计,能够减少功率损耗。 - DC-DC 转换器:在降压或升压转换器中作为主开关或同步整流器使用,提供高效的电压转换。 - 负载开关:用于动态控制电路中的电流流动,确保设备在待机或关断模式下的低功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于驱动小型风扇、玩具电机或其他低功率直流电机,提供精确的速度和方向控制。 - H 桥电路:与其他 MOSFET 配合,构建 H 桥以实现电机的双向驱动。 3. 电池管理系统 - 保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流、短路保护。 - 充放电控制:通过快速切换状态来管理电池的充放电过程,延长电池寿命。 4. 工业自动化 - 固态继电器:替代传统机械继电器,用于高频率、低噪声的开关操作。 - 传感器接口:驱动工业传感器或执行器,提供可靠的信号传输和功率放大。 5. 消费电子 - 音频设备:用于功率放大器中的开关或保护电路,确保音频信号的稳定输出。 - LED 驱动:为高亮度 LED 提供恒定电流驱动,应用于照明或背光系统。 6. 通信设备 - 信号调节:在通信模块中用作信号路径的开关,支持高速数据传输。 - 天线调谐:用于射频前端的天线切换或匹配网络调整。 特性总结 FDP047N10 的额定电压为 100V,额定电流为 30A(脉冲),具有较低的导通电阻和较高的效率,适合需要高频开关和低功耗的应用场景。同时,其紧凑的封装形式(如 TO-220 或 DPAK)便于集成到各种电子系统中。 总之,FDP047N10 广泛应用于需要高效功率转换、精确电流控制和可靠开关性能的领域,是许多电力电子设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 120A TO-220MOSFET 100V N-Channel PowerTrench |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 164 A |
| Id-连续漏极电流 | 164 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDP047N10PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDP047N10 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 375 W |
| Pd-功率耗散 | 375 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 386 ns |
| 下降时间 | 244 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15265pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 210nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.7 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 典型关闭延迟时间 | 344 ns |
| 功率-最大值 | 375W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 2.421 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 120A (Tc) |
| 系列 | FDP047N10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |