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- 型号： SI3459DV-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3459DV-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3459DV-T1-E3价格参考。VishaySI3459DV-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3459DV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3459DV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3459DV-T1-E3 是一款P沟道增强型MOSFET，采用1.2mm × 1.2mm小型SOT-23（SC-70）封装，具有低导通电阻和高开关效率，适用于空间受限的便携式电子设备。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子产品：广泛用于智能手机、平板电脑、可穿戴设备等，作为电源管理中的负载开关或电池供电切换元件，实现低功耗控制。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、LDO后级或电压反向保护电路中，用于通断控制，因其P沟道特性无需额外驱动电路，简化设计。 3. 电池供电系统：适用于电池包内部的充放电控制、极性反接保护，有效防止电流倒灌，提升系统安全性。 4. 信号开关与逻辑控制：可用于低电压信号路径的开关应用，如音频或数据线路的通断控制。 5. 消费类电子与物联网设备：在小型化智能家居设备、传感器模块和无线通信模块中，提供高效、紧凑的开关解决方案。 SI3459DV-T1-E3 具有良好的热稳定性和可靠性，工作温度范围宽（-55°C 至 +150°C），适合严苛环境下的应用。其小尺寸和高性能使其成为现代高密度PCB设计中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 2.2A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3459DV-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 2.2A，10V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3459DV-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Tc） |
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