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  • 型号: NVF2955PT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NVF2955PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVF2955PT1G价格参考。ON SemiconductorNVF2955PT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVF2955PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVF2955PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

型号为 NVF2955PT1G 的场效应晶体管(MOSFET),由 ON Semiconductor(安森美半导体) 生产,属于功率 MOSFET 器件,常用于以下应用场景:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路,因其具备低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,适合电池供电设备和电源适配器使用。

2. 负载开关与电机控制:可用于控制小型电机、继电器或电磁阀等感性负载,具备良好的开关特性和耐压能力。

3. 工业自动化与控制设备:用于工业电源、PLC模块、传感器供电控制等,提供可靠、高效的功率切换功能。

4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、移动电源、充电器等便携设备中的电源管理模块。

5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制、电动工具等对空间和效率有要求的场景。

该器件采用 5.5V 栅极驱动设计,支持逻辑电平驱动,便于与MCU或数字控制器直接连接。封装形式为 TSOP-6,体积小巧,适合高密度PCB布局。整体适用于中低功率、高频开关应用,具备良好的热稳定性和可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

NVF2955PT1G

PCN过时产品

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rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

492pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

14.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

185 毫欧 @ 2.4A,10V

供应商器件封装

SOT-223

功率-最大值

1W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-261-4,TO-261AA

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

1.7A (Ta)

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