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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVF2955PT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVF2955PT1G价格参考。ON SemiconductorNVF2955PT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVF2955PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVF2955PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NVF2955PT1G 的场效应晶体管(MOSFET),由 ON Semiconductor(安森美半导体) 生产,属于功率 MOSFET 器件,常用于以下应用场景: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、同步整流器和电源开关电路,因其具备低导通电阻(Rds(on))和高效率特性,适合电池供电设备和电源适配器使用。 2. 负载开关与电机控制:可用于控制小型电机、继电器或电磁阀等感性负载,具备良好的开关特性和耐压能力。 3. 工业自动化与控制设备:用于工业电源、PLC模块、传感器供电控制等,提供可靠、高效的功率切换功能。 4. 消费类电子产品:如笔记本电脑、移动电源、充电器等便携设备中的电源管理模块。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明控制、电动工具等对空间和效率有要求的场景。 该器件采用 5.5V 栅极驱动设计,支持逻辑电平驱动,便于与MCU或数字控制器直接连接。封装形式为 TSOP-6,体积小巧,适合高密度PCB布局。整体适用于中低功率、高频开关应用,具备良好的热稳定性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NVF2955PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 492pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14.3nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 185 毫欧 @ 2.4A,10V |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 1.7A (Ta) |