Datasheet下载- 型号： SUM60N02-3M9P-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUM60N02-3M9P-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUM60N02-3M9P-E3价格参考。VishaySUM60N02-3M9P-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SUM60N02-3M9P-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUM60N02-3M9P-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUM60N02-3M9P-E3 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度和优良的热稳定性，适用于需要高效能和小尺寸封装的场合。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：常用于 DC-DC 转换器、同步整流电路及电压调节模块（VRM），提升电源转换效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和移动电源中，用于负载开关或电池保护电路，降低功耗并延长续航时间。 3. 电机驱动：适用于小型直流电机或步进电机的控制，常见于便携式家电、电动工具和无人机等产品。 4. 热插拔与电源开关应用：因其快速响应特性，适合用于防止浪涌电流的电源开关控制。 5. 消费类电子产品：如智能手机、LED 驱动电路和充电管理模块中，实现紧凑设计与高效能兼顾。 该 MOSFET 采用先进的封装技术（如 PowerPAK 或类似小型化封装），具备良好的散热性能，适合高密度 PCB 布局，满足现代电子产品对小型化和高效率的需求。同时，其符合 RoHS 环保标准，适合工业级和消费级批量应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 60A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUM60N02-3M9P-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5950pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
| 功率-最大值 | 3.75W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Tc） |
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