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Datasheet下载- 型号： IRFR4105TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR4105TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR4105TRPBF价格参考。International RectifierIRFR4105TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR4105TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR4105TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRFR4105TRPBF 的晶体管属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），为单沟道器件。该器件广泛应用于需要高效、高速开关性能的电路设计中。 该MOSFET的主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等设备中，实现高效的能量转换与调节。 2. 电机控制：适用于直流电机驱动、步进电机控制等场合，具备快速开关能力和较高负载承受力。 3. 负载开关：在工业控制和自动化系统中，用作电子开关以控制各种负载的通断。 4. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明控制、电动工具等，得益于其高可靠性和耐用性。 5. 消费类电子产品：如智能家电、UPS（不间断电源）、电源管理系统等。 IRFR4105TRPBF为N沟道增强型MOSFET，封装形式为TO-252（DPAK），具备良好的热稳定性和较高的电流承载能力，适合中高功率应用。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 700 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 27A DPAKMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 22.7nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 25 A |
| Id-连续漏极电流 | 27 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR4105TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR4105TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 68 W |
| Qg-GateCharge | 22.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 49 ns |
| 下降时间 | 40 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR4105PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 68W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 6.5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfr4105.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfr4105.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_renders/EPS200 11／2" BL48"BX.jpg)
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