Datasheet下载- 型号： BUK9Y8R7-60E,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9Y8R7-60E,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9Y8R7-60E,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK9Y8R7-60E,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9Y8R7-60E,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9Y8R7-60E,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK9Y8R7-60E,115 是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别，广泛应用于需要高效能、低导通电阻和高可靠性的电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和AC-DC电源模块，因其低导通电阻（典型值约8.7mΩ）可减少能量损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：在工业控制、电动工具和家用电器的电机驱动电路中，该MOSFET可实现快速开关和高效能控制，适合中等功率应用。 3. 电池供电设备：用于便携式设备如笔记本电脑、移动电源和电动自行车的电池管理系统（BMS），提供低功耗和高效率的充放电控制。 4. 照明系统：在LED驱动电源中，BUK9Y8R7-60E可用于恒流控制电路，支持高亮度LED的稳定工作。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车灯控制和辅助电子模块，符合AEC-Q101标准，具备良好的温度稳定性和可靠性。 6. 工业与消费类电子产品：如电源适配器、UPS不间断电源、智能插座等，适用于需要紧凑设计和高效率的场合。 该器件采用LFPAK封装，热性能优良，便于散热，适合自动化贴片生产。其60V耐压等级适用于中低压应用，结合低栅极电荷和快速响应特性，有助于提升系统整体能效与稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9Y8R7-60E,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-10283-1 |
| 功率-最大值 | 147W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 86A （Tmb） |
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