Datasheet下载- 型号： VN10LP
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VN10LP由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VN10LP价格参考。Diodes Inc.VN10LP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VN10LP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VN10LP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的VN10LP是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效、低电压控制的场景。该器件具有低导通电阻、高开关速度和耐压能力强等特点，适用于电源管理、电机控制、负载开关、DC-DC转换器及电池供电设备等场景。在消费类电子产品中，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机中，VN10LP可用于电源开关和负载管理，提高能效并减少发热。在工业控制领域，它可用于驱动继电器、LED灯和小型电机。此外，其耐高温和可靠性强的特性也使其适用于汽车电子系统，如车载充电系统和车身控制模块。总之，VN10LP凭借其高性能和多功能性，成为众多低电压功率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3MOSFET N Chnl. 60V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 270 mA |
| Id-连续漏极电流 | 270 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated VN10LP- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VN10LP |
| Pd-PowerDissipation | 625 mW |
| Pd-功率耗散 | 625 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-92-3 |
| 其它名称 | FVN10LP |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 625mW |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 |
| 封装/箱体 | TO-92-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 270mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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