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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供R6006ANX由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 R6006ANX价格参考。ROHM SemiconductorR6006ANX封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载R6006ANX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有R6006ANX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的R6006ANX是一款N沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),广泛应用于中小功率电源管理与开关控制场景。该器件采用先进的制程技术,具备低导通电阻(RDS(on))、高开关速度和良好的热稳定性,适合高效能、小体积的设计需求。 典型应用场景包括: 1. 电源开关电路:用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)及负载开关,实现高效的电能转换与分配。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机控制中作为开关元件,提供快速响应与低功耗运行。 3. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、充电器、移动电源等设备中的电源管理单元,用于电池保护、充放电控制。 4. LED照明驱动:适用于LED恒流驱动电路中的开关控制,提升能效与系统可靠性。 5. 工业控制与物联网设备:用于传感器模块、智能电表、无线通信模块等低功耗嵌入式系统中,实现精确的电源管理。 R6006ANX采用SOP-8封装,便于自动化贴装,具有良好的散热性能和抗干扰能力,适合高密度PCB布局。其综合性能使其在追求小型化、高效率和稳定性的应用中表现优异,是现代电子设备中常用的功率开关元件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FMMOSFET 10V DRIVE NCH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor R6006ANX- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | R6006ANX |
| Pd-PowerDissipation | 40 W |
| Pd-功率耗散 | 40 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 520pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.2 欧姆 @ 3A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FM |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 散装 |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 500 |
| 正向跨导-最小值 | 1.7 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6A (Tc) |
| 配置 | Single |