Datasheet下载- 型号： NTMFS5844NLT1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFS5844NLT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFS5844NLT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFS5844NLT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMFS5844NLT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMFS5844NLT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMFS5844NLT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：该器件具有低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性，适合用于开关电源中的功率开关，以提高效率并降低功耗。 - DC-DC 转换器：可用于降压或升压转换器中的主开关和同步整流器，支持高效的电压转换。 - 负载开关：在便携式设备中，用作负载开关以控制电路的开启和关闭，减少待机功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于低功率电机驱动应用，如风扇、泵或玩具电机，提供高效且可靠的开关性能。 - H 桥电路：可用于构建 H 桥以实现电机的正反转控制。 3. 电池管理系统 (BMS) - 电池保护：用于锂电池或其他可充电电池的充放电保护电路，防止过流、短路或反接等问题。 - 电量平衡：在多节电池组中，用作电量平衡开关以确保各节电池电压一致。 4. 消费电子 - USB 充电器/Hub：作为 USB 充电器或集线器中的功率开关，支持快速充电功能。 - 音频放大器：在低功率音频放大器中用作输出级开关，提供高保真音质。 5. 工业自动化 - 信号隔离与驱动：在工业控制系统中，用于驱动继电器、电磁阀或其他负载。 - 传感器接口：用作传感器信号的开关或缓冲器，增强信号完整性。 6. 汽车电子 - LED 照明驱动：在汽车 LED 灯具中，用作电流调节开关以实现亮度控制。 - 车载电子设备：如电动座椅调节、车窗升降器等低功率应用。 7. 通信设备 - 信号切换：在通信模块中用作信号路径切换开关，支持多种通信协议。 - 天线调谐：用于射频前端的天线调谐电路，优化信号传输性能。 总结 NTMFS5844NLT1G 的低 Rds(on)、高开关速度和良好的热性能使其非常适合需要高效功率转换和开关的应用场景。它广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域，能够满足多样化的电力管理和信号控制需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A SO-8FLMOSFET 60V NCH T2 SO8FL |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFS5844NLT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTMFS5844NLT1G |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W, 3 W, 57 W, 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 16 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 16 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.5 V to 2.3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.5 V to 2.3 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1460pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6） |
| 功率-最大值 | 3W |
| 功率耗散 | 1.9 W, 3 W, 57 W, 89 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 16 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘（5 根引线） |
| 封装/箱体 | SO-8FL |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 30 nC |
| 标准包装 | 1,500 |
| 正向跨导-最小值 | 27 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11.2A （Ta） |
| 系列 | NTMFS5844NL |
| 配置 | Single |
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