Datasheet下载- 型号： FDD5N50NZFTM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD5N50NZFTM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD5N50NZFTM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD5N50NZFTM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDD5N50NZFTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDD5N50NZFTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD5N50NZFTM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有500V的漏源击穿电压和5A的连续漏极电流能力，适合中高功率应用场景。 该MOSFET常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器、电机控制及照明驱动电路中，作为高效开关元件使用。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件采用先进的封装技术，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于工业控制、消费电子及家电产品中的功率管理模块。 由于其高耐压、高可靠性和良好的热性能，FDD5N50NZFTM也常见于需要高效率和高稳定性的电源设计中，如电源适配器、充电器、UPS（不间断电源）和变频器等应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V DPAKMOSFET 500V N-Channel UniFET-II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.7 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD5N50NZFTMUniFET-II™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDD5N50NZFTM |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 62.5 W |
| Pd-功率耗散 | 62.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.47 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.47 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| 上升时间 | 19 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 485pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.75 欧姆 @ 1.85A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 其它名称 | FDD5N50NZFTMDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 62.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 260.370 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 4.2 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.7A （Tc） |
| 系列 | FDD5N50 |
| 配置 | Single |
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