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  • 型号: PSMN017-30PL,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-30PL,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN017-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN017-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN017-30PL,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值仅 1.7 mΩ @ Vgs = 10 V)、高电流能力(ID = 120 A)及优良的开关性能。其主要应用场景包括:

- 高效率 DC-DC 转换器:如服务器/通信电源中的同步整流、POL(Point-of-Load)模块,利用其超低 Rds(on) 减小导通损耗,提升能效;
- 电机驱动系统:适用于工业变频器、电动工具、无人机电调(ESC)等中大功率直流/BLDC 电机控制,支持高频 PWM 开关与快速关断;
- 电池管理系统(BMS)与电源保护:用于智能电池组的充放电主回路开关、电子保险丝(eFuse)及反向电流阻断,具备强抗雪崩能力(UIS 额定);
- LED 照明驱动:在高功率 LED 恒流驱动或调光电路中作为主开关器件,兼顾散热性与可靠性;
- 汽车电子辅助系统:符合 AEC-Q101(注:该型号为工业级,非车规;若用于车载需确认具体版本及认证),常见于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动等非安全关键应用。

其逻辑电平特性(Vgs(th) 低至 1–2.5 V)便于直接由 MCU 或驱动 IC 控制,简化外围电路。TO-220 封装利于散热,适用于中高功率密度设计。注意实际应用中需合理设计栅极驱动、PCB 布局及散热措施以发挥最佳性能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 30V 32A TO220ABMOSFET N-chan 30 V 17 mohm MOSFET in TO-220

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

32 A

Id-连续漏极电流

32 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN017-30PL,127-

数据手册

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产品型号

PSMN017-30PL,127

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

45 W

Pd-功率耗散

45 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

17 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17 mOhms

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.15V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

552pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

10.7nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17 毫欧 @ 10A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=30449

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-9506-5
934066818127
PSMN01730PL127

功率-最大值

45W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

32A (Tc)

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