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  • 型号: IRFP064NPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP064NPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP064NPBF价格参考¥6.83-¥7.17。International RectifierIRFP064NPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFP064NPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFP064NPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFP064NPBF是一款N沟道功率MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是该型号的主要应用场景:

1. 开关电源(SMPS)  
   IRFP064NPBF适用于各种开关电源设计,例如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻(Rds(on))和高电流处理能力使其在高效能开关应用中表现出色。

2. 电机驱动  
   该MOSFET可用于驱动中小功率直流电机或步进电机,尤其是在需要快速开关和低功耗的应用场景中,例如家用电器、工业自动化设备和电动工具。

3. 逆变器  
   在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,IRFP064NPBF可以作为开关元件,用于将直流电转换为交流电,支持高效的能量转换。

4. 负载切换  
   由于其高耐压(Vds = 100V)和大电流承载能力(Id = 58A),该器件适合用于负载切换电路,例如汽车电子系统中的电源管理模块。

5. 脉宽调制(PWM)控制器  
   在需要精确控制输出功率的场合,如LED驱动器或音频放大器,IRFP064NPBF可以用作PWM开关,提供稳定的性能和较低的热损耗。

6. 电池管理系统(BMS)  
   该MOSFET也可应用于电池保护电路中,用于实现过流保护、短路保护以及电池充放电控制。

7. 电信设备  
   在通信基础设施中,如基站电源模块,IRFP064NPBF能够满足对可靠性和效率的严格要求。

总之,IRFP064NPBF凭借其优异的电气特性和耐用性,广泛应用于需要高效功率转换和控制的各种电子设备中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH 55V 110A TO-247ACMOSFET MOSFT 55V 98A 8mOhm 113.3nCAC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

98 A

Id-连续漏极电流

98 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFP064NPBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRFP064NPBF

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

150 W

Pd-功率耗散

150 W

Qg-GateCharge

113.3 nC

Qg-栅极电荷

113.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4000pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

170nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8 毫欧 @ 59A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-247AC

其它名称

*IRFP064NPBF

功率-最大值

200W

功率耗散

150 W

包装

散装

商标

International Rectifier

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

8 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-247-3

封装/箱体

TO-247-3

工厂包装数量

25

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

113.3 nC

标准包装

25

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

98 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

110A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfp064n.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfp064n.spi

闸/源击穿电压

20 V

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