Datasheet下载- 型号： IRFS31N20DTRR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS31N20DTRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS31N20DTRR价格参考。International RectifierIRFS31N20DTRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS31N20DTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS31N20DTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRFS31N20DTRR 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：常用于开关电源（SMPS）、AC-DC和DC-DC转换器中，因其具备200V的高击穿电压和较低的导通电阻，有助于提升能效并减少发热。 2. 电机驱动：适用于工业电机控制、电动工具及家用电器中的电机驱动电路，可实现快速开关响应和稳定运行。 3. 照明系统：在LED驱动电源和电子镇流器中广泛应用，支持高效恒流输出，提高照明系统的可靠性与寿命。 4. 逆变器与UPS：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中，承担直流到交流的转换任务，具备良好的热稳定性和耐压能力。 5. 消费类电子产品：如电视、电脑电源模块等，满足对小型化和高效率的需求。 IRFS31N20DTRR采用TO-252（DPAK）封装，便于散热和焊接，适合自动化生产。其优化的栅极设计降低了开关损耗，提升了整体系统效率。综合来看，该器件适用于中高功率、高可靠性要求的工业、消费和绿色能源领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFS31N20DTRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 82 毫欧 @ 18A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 31A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl31n20d.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl31n20d.spi |
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