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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123LT3G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123LT3G价格参考。ON SemiconductorBSS123LT3G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSS123LT3G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS123LT3G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS123LT3G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型小信号 MOSFET。其主要应用场景包括: 1. 开关应用: BSS123LT3G 常用于各种低功率开关电路中,例如电源管理模块、负载开关和继电器替代方案。其低导通电阻(典型值为 1.4 Ω @ Vgs = 4.5V)使其适合高效切换小电流负载。 2. 信号切换: 在音频、视频或数据信号路径中,该 MOSFET 可用作模拟开关或缓冲器,实现信号的快速切换,同时保持较低的信号失真。 3. 电池保护与管理: 它可用于便携式设备(如手机、平板电脑或物联网设备)中的电池保护电路,通过控制充电/放电路径来防止过流、短路或反向电流。 4. 电机驱动: BSS123LT3G 能够驱动小型直流电机或步进电机,适用于玩具、智能家居设备或其他需要低功率电机控制的应用。 5. ESD 保护电路: 其低栅极阈值电压(典型值为 1.2V)和快速开关特性使其适合用作静电放电(ESD)保护电路中的开关元件。 6. 电源同步整流: 在一些 DC-DC 转换器中,该 MOSFET 可作为同步整流器的一部分,提高效率并减少功耗。 7. 传感器接口: 在工业自动化或消费电子领域,BSS123LT3G 可用于传感器信号的放大、隔离或调理,确保信号完整性。 8. 音频电路: 由于其低漏电流和高线性度,该器件也适用于音频放大器中的偏置控制或电平转换。 总结来说,BSS123LT3G 的小型封装(SOT-23)和优良的电气性能使其成为便携式设备、消费电子产品及工业应用中理想的低功率 MOSFET 解决方案。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | BSS123LT3G |
PCN设计/规格 | |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 20pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 100mA,10V |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
功率-最大值 | 225mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 10,000 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 170mA (Ta) |