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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB9N50CFTM_WS由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB9N50CFTM_WS价格参考。Fairchild SemiconductorFQB9N50CFTM_WS封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQB9N50CFTM_WS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB9N50CFTM_WS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB9N50CFTM_WS 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于AC-DC转换器、DC-DC转换器、开关电源(SMPS)等,用于提高能效和减小体积。 2. 电机驱动:在直流电机或步进电机的控制电路中作为功率开关使用,适用于工业自动化和电动工具。 3. 照明系统:用于LED驱动器或高强度放电灯(HID)镇流器中,实现稳定高效的电流控制。 4. 消费电子:如充电器、适配器、UPS(不间断电源)等设备中进行功率调节与开关控制。 5. 汽车电子:可用于车载电源系统、电池管理系统(BMS)及车用电机控制模块。 该器件具有低导通电阻、高耐压(500V)和较强电流承载能力(9A),适合高频开关应用,有助于提升系统效率并简化散热设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 500V 9A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQB9N50CFTM_WS |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | FRFET™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1030pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 35nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 850 毫欧 @ 4.5A,10V |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FQB9N50CFTM_WSDKR |
功率-最大值 | 173W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Tc) |