Datasheet下载- 型号： NTB6413ANG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB6413ANG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB6413ANG价格参考。ON SemiconductorNTB6413ANG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB6413ANG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB6413ANG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB6413ANG是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效功率控制的场景。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和良好热性能的特点，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关、电机控制以及电池供电设备等场合。 该MOSFET常用于通信设备、工业自动化系统、消费类电子产品及汽车电子中，例如作为开关元件用于电源模块或LED驱动电路中。其高效率和可靠性使其成为高性能电源设计的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB6413ANG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 42A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
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