Datasheet下载- 型号： APT60M80L2VRG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT60M80L2VRG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT60M80L2VRG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT60M80L2VRG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT60M80L2VRG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT60M80L2VRG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
APT60M80L2VRG 是 Microsemi Corporation（现为 Microchip Technology 旗下品牌）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于功率 MOSFET 类器件，常用于高效率、高频率的电力电子系统中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源转换设备：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于需要高效能和快速开关特性的场合。 2. 电机控制：用于直流电机驱动器或无刷电机控制系统中，作为功率开关元件，实现对电机转速和方向的控制。 3. 工业自动化设备：在工业控制和自动化系统中，作为高频率开关使用，例如变频器、伺服驱动器等。 4. 新能源系统：如太阳能逆变器、储能系统中的功率控制模块，适合用于需要高可靠性和高温工作能力的环境。 5. 汽车电子：在电动汽车（EV）或混合动力汽车（HEV）中的车载充电器、电池管理系统（BMS）等模块中使用。 该MOSFET具有高耐压（800V）、大电流（60A）和低导通电阻的特点，适用于高频开关和高温环境，具备良好的热稳定性和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 65A TO-264MAX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6450-apt60m80l2vr-b-pdf |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT60M80L2VRG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | POWER MOS V® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 5mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 13300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 590nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 80 毫欧 @ 32.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 264 MAX™ [L2] |
| 功率-最大值 | 833W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-264-3，TO-264AA |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
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