Datasheet下载- 型号： SI1303DL-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1303DL-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1303DL-T1-GE3价格参考。VishaySI1303DL-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1303DL-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1303DL-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1303DL-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：适用于降压或升压 DC-DC 转换电路，用于调节电压以满足不同负载需求。 - 负载开关：在便携式设备中用作高效的负载开关，控制电流流向特定电路模块。 - 电池保护：用于锂电池管理系统中，防止过充、过放和短路。 2. 消费电子 - 移动设备：如智能手机、平板电脑等，用于电源管理和信号切换。 - 音频设备：作为功率放大器的驱动元件，提供高效率和低失真性能。 - USB 充电器：在 USB 接口的电源路径中实现快速充电功能。 3. 工业应用 - 电机驱动：用于小型直流电机的驱动电路，控制电机的启动、停止和速度。 - 信号隔离：在工业自动化系统中，用于隔离高压和低压信号。 - 逆变器：在小型光伏逆变器或 UPS 系统中，作为开关元件。 4. 通信设备 - 网络设备：如路由器、交换机等，用于电源分配和信号切换。 - 基站电源：在通信基站中，作为高效开关元件，降低功耗。 5. 汽车电子 - 车载电子系统：如信息娱乐系统、导航系统等，用于电源管理和信号处理。 - LED 驱动：用于车内照明系统的 LED 驱动电路。 6. 优势特点 - 低导通电阻（Rds(on)）：典型值为 2.8mΩ（@ Vgs = 4.5V），可显著降低功耗。 - 高工作频率：适合高频开关应用，提升系统效率。 - 小封装尺寸（TSSOP7）：节省空间，适合紧凑型设计。 综上所述，SI1303DL-T1-GE3 广泛应用于需要高效开关和低功耗的场景，特别适合对体积和性能要求较高的电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI1303DL-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 430 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-70-3 |
| 功率-最大值 | 290mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 670mA （Ta） |
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