Datasheet下载- 型号： SI4100DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4100DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4100DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4100DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4100DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4100DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4100DY-T1-GE3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)）和高开关速度的特点，适合多种应用场景。以下是其主要应用领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于降压或升压转换器中的开关器件，提供高效的能量转换。 - 负载开关：在便携式设备中用作负载开关，控制电路的通断以节省电能。 - 电池保护：用于锂电池或其他可充电电池的过流、短路保护。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：适用于玩具、家用电器等需要低电压驱动的小型电机。 - H 桥电路：作为 H 桥的一部分，用于双向电机控制。 3. 消费电子 - 手机和平板电脑：用于电源管理模块，支持快速充电功能。 - 音频设备：在低功率音频放大器中用作输出级开关。 - USB 接口保护：防止过流和短路，确保 USB 设备的安全运行。 4. 通信设备 - 信号切换：在通信系统中用于高速信号切换。 - 电源分配：在路由器、交换机等设备中实现高效的电源分配。 5. 工业自动化 - 传感器接口：用于低功耗传感器的电源控制。 - 继电器替代：在需要频繁开关的应用中替代机械继电器，提高可靠性和寿命。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器等低功率电机驱动。 - LED 照明：用于汽车 LED 灯的驱动和调光。 SI4100DY-T1-GE3 的小尺寸封装（SOT-23）和低 Rds(on) 特性使其非常适合空间受限和效率要求高的应用场合。同时，其较低的成本也使其成为许多低成本设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 600 pF |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOICMOSFET 100V 6.8A 6.0W 63mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.4 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?69251 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4100DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4100DY-T1-GE3SI4100DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-栅极电荷 | 13.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4.5 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 600pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 63 毫欧 @ 4.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4100DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns, 15 ns |
| 功率-最大值 | 6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4100DY-GE3 |
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