Datasheet下载- 型号： IPD30N06S2L-13
- 制造商： Infineon
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD30N06S2L-13由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD30N06S2L-13价格参考。InfineonIPD30N06S2L-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD30N06S2L-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD30N06S2L-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPD30N06S2L-13是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS） - IPD30N06S2L-13适用于各种开关电源设计，例如AC-DC适配器、充电器和DC-DC转换器。 - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于提高效率，减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，提供高效的开关性能。 - 在无人机、电动工具、家用电器（如风扇、水泵）等场景中表现良好。 3. 电池管理系统（BMS） - 在电池保护电路中作为电子开关使用，实现过流保护、短路保护等功能。 - 常见于锂电池组、UPS系统和便携式设备中。 4. 逆变器与变频器 - 用于太阳能微型逆变器、家电变频控制（如空调、冰箱）等领域。 - 提供快速切换能力，支持高频工作模式。 5. 负载开关与电源管理 - 在消费电子设备中用作负载开关，控制不同模块的供电状态。 - 适合智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的电源管理单元（PMU）。 6. 汽车电子 - 适用于车身电子系统，如车窗升降器、雨刷控制器和座椅调节器。 - 符合汽车级可靠性要求（具体需确认是否为AEC-Q101认证版本）。 7. 照明系统 - 用于LED驱动电路，支持高效调光和恒流控制。 - 广泛应用于室内照明、景观灯和汽车前照灯等场合。 该型号具有出色的电气性能和可靠性，能够在多种工业、消费类及汽车应用中发挥重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A 13mOhms |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 30 A |
| Id-连续漏极电流 | 30 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD30N06S2L-13_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD30N06S2L-13OptiMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPD30N06S2L-13_green.pdf?folderId=db3a304412b407950112b4322c6d574b&fileId=db3a304412b407950112b433ba8d5d65 |
| 产品型号 | IPD30N06S2L-13 |
| Pd-PowerDissipation | 136 W |
| Pd-功率耗散 | 136 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 21 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 80µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 69nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品种类 | MOSFETs |
| 供应商器件封装 | PG-TO252-3 |
| 其它名称 | IPD30N06S2L-13DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
| 系列 | IPD30N06 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPD30N06S2L13ATMA1 SP000252167 |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/SJ-3551 1".jpg)
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