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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLL2705TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLL2705TRPBF价格参考。International RectifierIRLL2705TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 55V 3.8A(Ta) 1W(Ta) SOT-223。您可以下载IRLL2705TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLL2705TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRLL2705TRPBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),且为单通道设计。该型号的应用场景主要包括以下几个方面: 1. 低电压应用 - IRLL2705TRPBF是一款N沟道逻辑级增强型MOSFET,具有较低的导通电阻(Rds(on)),非常适合低电压驱动场景。其典型应用场景包括电池供电设备、便携式电子设备(如移动电源、笔记本电脑适配器等)。 2. 电机驱动 - 该MOSFET适用于小型直流电机驱动电路。由于其低导通电阻特性,可以减少功率损耗,提高效率。常见于家用电器(如风扇、吸尘器)和工业自动化设备中的电机控制。 3. 开关电源(SMPS) - 在开关电源中,IRLL2705TRPBF可以用作同步整流器或低压侧开关器件。它能够高效地切换电流,降低能量损耗,提升电源转换效率。适合用于USB充电器、LED驱动器等。 4. 负载开关 - 负载开关是现代电子产品中的重要组成部分,用于控制不同电路模块的供电状态。IRLL2705TRPBF凭借其快速开关能力和低导通电阻,非常适合用作负载开关,特别是在需要频繁启停的场景中。 5. 信号放大与电平转换 - 在某些电路设计中,IRLL2705TRPBF可以用作信号放大器或电平转换器,将低电压信号转换为高电流输出信号,以驱动后续负载。 6. 保护电路 - 该型号MOSFET还可用于过流保护、短路保护等电路中。通过检测电流变化并迅速切断电路,有效保护系统免受损坏。 总结 IRLL2705TRPBF以其优异的性能(如低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性)广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。具体选择时需根据实际电路需求考虑其工作电压、电流及散热条件等因素。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223MOSFET MOSFT 55V 3.8A 40mOhm 32nC Log Lvl |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRLL2705TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRLL2705TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| Qg-GateCharge | 32 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 65 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 65 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 870pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 48nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 40 毫欧 @ 3.8A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 其它名称 | IRLL2705PBFDKR |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 2.1 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 65 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 32 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 55 V |
| 漏极连续电流 | 3.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.8A (Ta) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irll2705.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irll2705.spi |
| 闸/源击穿电压 | 16 V |