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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6893MTR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6893MTR1PBF价格参考。International RectifierIRF6893MTR1PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6893MTR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6893MTR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF6893MTR1PBF 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET(场效应晶体管)类别。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和优良的开关性能,适用于高效率、高频率的电源转换应用。 典型应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的DC-DC转换器、AC-DC电源模块,因其低损耗特性有助于提升能效。 2. 电机驱动:适用于电动工具、家用电器及工业控制中的直流电机或步进电机驱动电路,提供快速响应和稳定控制。 3. 照明电源:用于LED驱动电源,特别是在高亮度LED或户外照明系统中,支持高效恒流输出。 4. 电池管理系统(BMS)与逆变器:在便携式设备、UPS(不间断电源)或太阳能逆变器中,作为功率开关元件,实现电能的高效转换与管理。 5. 热插拔电路与负载开关:利用其快速开关特性和过流保护能力,用于电信设备和数据中心的电源管理模块。 IRF6893MTR1PBF 采用贴片封装(如PowerPAK SO-8),便于自动化生产,同时具备良好的散热性能,适合紧凑型高密度设计。其符合RoHS标准,无铅环保,适用于对可靠性要求较高的工业与消费类电子产品。总体而言,该MOSFET在需要高效、小型化和高可靠性的电力电子系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 29A MX |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6893MTR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3480pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.6 毫欧 @ 29A, 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6893MTR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 29A (Ta), 168A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/modesls/saber/irf6893mpbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/modesls/spice/irf6893mpbf.spi |