Datasheet下载- 型号： PSMN017-80BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN017-80BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN017-80BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN017-80BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN017-80BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN017-80BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN017-80BS,118 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56 封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值 1.7 mΩ @ VGS = 10 V）、高耐压（80 V）和强电流能力（ID 高达 120 A），适合高效率、高功率密度应用。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC 电源转换：广泛用于服务器/通信设备的同步整流 Buck 转换器、POL（负载点）模块及 VRM（电压调节模块），提升转换效率与热性能； ✅ 电机驱动：适用于中小功率无刷直流（BLDC）电机控制中的半桥/全桥下管，尤其在电动工具、风扇、泵类等需高频开关与低损耗的场合； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电主控开关或均衡开关，支持大电流通断与快速响应； ✅ LED 照明驱动：在高亮度 LED 恒流驱动或调光电路中作为 PWM 开关器件，兼顾效率与可靠性； ✅ 工业电源与 UPS：用于输入整流、PFC 后级开关或逆变输出级，满足高可靠性与长寿命要求。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) 低至 1.0–2.2 V）便于与 MCU、DSP 或栅极驱动 IC 直接兼容，减少外围驱动电路复杂度；LFPAK56 封装具备优异散热性与小尺寸优势，适用于空间受限的紧凑型设计。 综上，该器件适用于对效率、功率密度、热管理及系统集成度要求较高的中高压、大电流开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 80V 50A D2PAKMOSFET N-CH 80 V 17 MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 50 A |
| Id-连续漏极电流 | 50 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN017-80BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN017-80BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 103 W |
| Pd-功率耗散 | 103 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 29 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4.7 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4.7 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1573pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9700-1 |
| 功率-最大值 | 103W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 50A （Tc） |
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