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产品简介:
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NTD50N03R-001是安森美(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于各类电源管理和功率开关场景。该器件具有低导通电阻(RDS(on))、高效率和优良的热性能,适合在中等功率条件下工作。 其典型应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中作为主开关或同步整流器件,提升转换效率。 2. 电机驱动:用于小型直流电机或步进电机的控制电路中,实现高效、快速的开关操作。 3. 负载开关与电源管理:在电池供电设备中作为负载开关,控制电源通断,降低待机功耗。 4. 逆变器与UPS系统:适用于不间断电源(UPS)和小型逆变器中的功率切换环节。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、显示器、家用电器中的电源模块。 6. 工业控制:用于PLC、传感器模块和工业电源单元中的功率控制部分。 该MOSFET耐压30V,连续漏极电流可达50A,适合需要高电流能力但空间受限的设计。其TO-252(D-Pak)封装便于散热和PCB布局,适用于对可靠性和能效要求较高的应用。总体而言,NTD50N03R-001是一款高性能、高性价比的功率MOSFET,适用于多种中低电压、大电流的开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 7.8A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD50N03R-001 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 750pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 11.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 12 毫欧 @ 30A,11.5V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.8A (Ta), 45A (Tc) |