Datasheet下载- 型号： IRFZ24NSTRR
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFZ24NSTRR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFZ24NSTRR价格参考。International RectifierIRFZ24NSTRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFZ24NSTRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFZ24NSTRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFZ24NSTRR的MOSFET，属于N沟道增强型功率场效应晶体管（FET），常用于高效率开关应用。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力的特点，适用于多种电力电子系统。 主要应用场景包括： 1. 电源管理与DC-DC转换器：广泛应用于同步整流、降压（Buck）或升压（Boost）转换器中，以提高电源效率。 2. 电机驱动电路：如直流电机控制、电动工具、电动车控制器等场合，提供快速开关响应和良好热稳定性。 3. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中的功率转换部分。 4. 电池充电系统：在智能充电器或电池管理系统中作为高效开关元件使用。 5. 工业自动化与负载开关：可用于PLC模块、继电器替代方案及各种工业控制系统中的功率开关。 6. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明驱动等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET采用表面贴装封装（如TO-252或DPAK），便于自动化生产和良好的散热性能，适合中高功率密度设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFZ24NSTRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 370pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irfz24ns.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfz24ns.spi |
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