Datasheet下载- 型号： IRFIBC30GPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIBC30GPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIBC30GPBF价格参考。VishayIRFIBC30GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFIBC30GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFIBC30GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFIBC30GPBF 是 Vishay Siliconix（现为 Vishay Microelectronics）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于多种电源管理和功率控制场合。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器：适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器等开关电源设计中，用于高效能的电能转换。 2. 电机驱动：可用于直流电机或步进电机的控制电路中，作为高速开关元件，实现对电机速度和方向的控制。 3. 负载开关：在需要频繁接通与断开负载的系统中，如工业自动化设备、智能家电中用作电子开关。 4. 电池管理系统：在电池充放电管理电路中，作为主控开关使用，具有低导通电阻，有助于减少功耗和发热。 5. 照明控制：在LED照明调光或镇流器电路中，用于PWM调光控制。 6. 汽车电子：由于其封装符合RoHS标准且可靠性高，常用于汽车中的各种电子控制系统，如车窗、座椅调节电机控制等。 该器件采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装，具备良好的热性能和电气性能，适合中功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220FPMOSFET N-Chan 600V 2.5 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIBC30GPBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91180 |
| 产品型号 | IRFIBC30GPBFIRFIBC30GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 13 ns |
| 下降时间 | 14 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 欧姆 @ 1.5A，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIBC30GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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