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Datasheet下载- 型号： IRFSL7437PBF
- 制造商： International Rectifier
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IRFSL7437PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL7437PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL7437PBF价格参考。International RectifierIRFSL7437PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 40V 195A（Tc） 230W（Tc） TO-262。您可以下载IRFSL7437PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL7437PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFSL7437PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的MOSFET晶体管，属于N沟道增强型功率MOSFET。该型号的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）： IRFSL7437PBF具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适合用于开关电源中的高频开关应用，例如DC-DC转换器、降压/升压转换器等。 2. 电机驱动： 该器件可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中，作为开关元件控制电机的启停、转速和方向。 3. 负载切换： 在需要高效负载切换的应用中，如汽车电子、工业自动化设备或消费电子产品中，IRFSL7437PBF可以用作负载开关，实现对不同负载的动态控制。 4. 电池管理系统（BMS）： 由于其低导通电阻和高能效特性，该MOSFET适用于电池保护电路和充放电管理，帮助减少功耗并提高系统效率。 5. 逆变器与变频器： 在家用电器（如空调、冰箱）或工业设备中，IRFSL7437PBF可以用于逆变器和变频器电路，以实现交流信号的生成和频率调节。 6. LED驱动： 该器件可用于大功率LED照明系统的驱动电路中，提供稳定的电流输出并支持调光功能。 7. 通信设备： 在基站、路由器或其他通信设备中，IRFSL7437PBF可用于电源管理和信号处理模块中的开关操作。 总结来说，IRFSL7437PBF凭借其高性能参数和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信领域中的各种功率转换和控制场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N CH 40V 195A TO-262MOSFET 40V, 195A, 1.8 mOhm 150 nC Qg, TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 250 A |
| Id-连续漏极电流 | 250 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFSL7437PBFHEXFET®， StrongIRFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFSL7437PBF |
| PCN组件/产地 | 点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 225 nC |
| Qg-栅极电荷 | 225 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3.9 V |
| 上升时间 | 70 ns |
| 下降时间 | 53 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 225nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.8 毫欧 @ 100A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 典型关闭延迟时间 | 78 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 功率耗散 | 230 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 1.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 封装/箱体 | I2PAK-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 225 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 160 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 250 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/international-rectifier-strongirfet-power-mosfet/2963 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 195A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
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