图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FDD7N60NZTM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FDD7N60NZTM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDD7N60NZTM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD7N60NZTM价格参考。Fairchild SemiconductorFDD7N60NZTM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 600V 5.5A(Tc) 90W(Tc) D-Pak。您可以下载FDD7N60NZTM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD7N60NZTM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDD7N60NZTM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - FDD7N60NZTM 的高电压耐受能力(600V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用。
   - 它可以作为主开关管,用于 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器或反激式变换器中。

 2. 电机驱动
   - 在工业控制和消费电子领域,该 MOSFET 可用于驱动小型直流电机或步进电机。
   - 其低导通电阻(Rds(on) = 0.85 Ω,典型值)有助于减少功率损耗,提高效率。

 3. 逆变器
   - 适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器,用于将直流电转换为交流电。
   - 高频开关特性使其能够满足逆变器对高效能量转换的需求。

 4. 电磁阀和继电器驱动
   - 由于其能够承受较高的电压和电流,这款 MOSFET 常被用作电磁阀或继电器的驱动开关。
   - 提供可靠的开关功能,同时保护电路免受过压或浪涌的影响。

 5. 负载开关
   - 在需要大电流负载切换的应用中(如汽车电子或工业设备),FDD7N60NZTM 可以作为高效的负载开关使用。
   - 它的快速开关速度有助于减少开关损耗并提高系统性能。

 6. 电动汽车和电动工具
   - 在电动车的电池管理系统(BMS)或电动工具的电源管理模块中,这款 MOSFET 可以用作功率开关或保护元件。
   - 提供稳定的电流控制和过流保护功能。

 7. PFC(功率因数校正)电路
   - 用于提升功率因数的电路中,作为升压开关或同步整流器的一部分。
   - 其高耐压特性和低导通电阻有助于实现更高的功率转换效率。

 8. 家用电器
   - 在家电产品(如洗衣机、空调、冰箱等)中,FDD7N60NZTM 可用于压缩机驱动、风扇控制或其他高压电路中。
   - 提供可靠性和高效能表现。

总之,FDD7N60NZTM 凭借其高耐压、低导通电阻和优异的开关性能,广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 600V 5.5A DPAK-3MOSFET N-Channel 600V 5.5A

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.5 A

Id-连续漏极电流

5.5 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD7N60NZTMUniFET-II™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDD7N60NZTM

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

90 W

Pd-功率耗散

90 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

1.05 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

1.05 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

600 V

Vds-漏源极击穿电压

600 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

730pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.25 欧姆 @ 2.75A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

其它名称

FDD7N60NZTM-ND
FDD7N60NZTMTR

功率-最大值

90W

包装

带卷 (TR)

单位重量

260.370 mg

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

Through Hole

封装

Reel

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

2500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

2,500

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.5A (Tc)

系列

FDD7N60NZTM

推荐商品

型号:DMN601WK-7

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRFR224PBF

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:STW19NM50N

品牌:STMicroelectronics

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:BSS316NH6327XTSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IRF6612TR1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:IPA90R340C3XKSA1

品牌:Infineon Technologies

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SIHB30N60E-E3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOT7S65L

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
FDD7N60NZTM 相关产品

AO7403

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

价格:

IRFR540ZTRLPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

IRFR7546PBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

FQPF13N06L

品牌:ON Semiconductor

价格:

DMP3010LPSQ-13

品牌:Diodes Incorporated

价格:

ZVN4424ASTOA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

SFP9Z24

品牌:ON Semiconductor

价格:

AUIRL1404ZSTRL

品牌:Infineon Technologies

价格: