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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMP2012SN-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMP2012SN-7价格参考。Diodes Inc.DMP2012SN-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMP2012SN-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMP2012SN-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMP2012SN-7是一款P沟道增强型MOSFET,常用于电源管理和负载开关等场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于电池供电设备,如笔记本电脑、平板和移动设备中的DC-DC转换器和电源开关,帮助提高能效和延长电池寿命。 2. 负载开关:用于控制电源到外设或模块的通断,防止过载或短路,常见于USB电源开关和热插拔保护电路。 3. 电机驱动:在小型电机或继电器控制中作为开关元件,实现高效、低功耗的驱动。 4. 工业控制:用于自动化设备中的信号控制和功率切换,如PLC模块和传感器电源管理。 5. 消费电子:如智能家电、穿戴设备中,用于高效能、小尺寸的电源设计。 该器件具有低导通电阻(Rds(on))、小封装(SOT-26),适合空间受限且需高效能的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3MOSFET 20V 700mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 700 mA |
| Id-连续漏极电流 | - 700 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMP2012SN-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | DMP2012SN-7 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 500 mW |
| Pd-功率耗散 | 500 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms at 4.5 V |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 20 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 180pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 400mA,4.5V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-59-3 |
| 其它名称 | DMP2012SN7 |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 700mA (Ta) |
| 系列 | DMP2012 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |