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SI4423DY-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4423DY-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4423DY-T1-E3价格参考¥7.74-¥10.03。VishaySI4423DY-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 10A(Ta) 1.5W(Ta) 8-SO。您可以下载SI4423DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI4423DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4423DY-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,广泛应用于多种电子设备中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):SI4423DY-T1-E3 可用于 DC-DC 转换器、开关稳压器等电路中,作为功率开关元件,实现高效的电压转换。 - 负载开关:在便携式设备(如手机、平板电脑)中用作负载开关,控制电路的通断,降低功耗并保护电路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低功率直流电机的驱动和控制,例如风扇、玩具电机等。 - H 桥电路:在 H 桥电路中与其他 MOSFET 配合使用,实现电机的正转、反转和制动功能。 3. 信号切换 - 音频信号切换:在音频设备中用于信号通道的切换,确保信号传输的高效性和低失真。 - 数据线路切换:用于 USB、以太网等数据接口的切换,提供快速的导通和关断能力。 4. 电池管理系统 - 电池保护:在锂电池或可充电电池组中,用作充放电保护开关,防止过流、短路或过充。 - 电量检测:配合电流检测电阻,用于测量电池的充放电电流。 5. 消费电子 - 智能手机与平板电脑:用于电源管理单元 (PMU) 中,实现高效的电源分配和管理。 - 便携式设备:在蓝牙耳机、智能手表等设备中,用作低功耗开关,延长电池寿命。 6. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化系统中,用于控制传感器的供电或信号切换。 - 继电器替代:由于其快速开关特性和低功耗,可以替代传统机械继电器,用于频繁开关的场合。 特点支持场景: - 低导通电阻 (Rds(on)):仅 18 mΩ(典型值),减少导通损耗,适合高效率应用。 - 高开关速度:支持高频开关应用,如 SMPS 和信号切换。 - 小封装尺寸 (DFN1006-2):节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。 综上所述,SI4423DY-T1-E3 以其高性能和小尺寸特点,广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制以及电池管理系统等领域。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOICMOSFET 20 Volt 14 Amp 3.0W |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
Id-连续漏极电流 | 10 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4423DY-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SI4423DY-T1-E3SI4423DY-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
上升时间 | 165 ns |
下降时间 | 165 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 600µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 175nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.5 毫欧 @ 14A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | SI4423DY-T1-E3DKR |
典型关闭延迟时间 | 460 ns |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SO-8 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI4423DY-E3 |