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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BVSS84LT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BVSS84LT1G价格参考。ON SemiconductorBVSS84LT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BVSS84LT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BVSS84LT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的BVSS84LT1G是一款P沟道增强型MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于低电压、低功耗的开关应用。该器件采用SOT-23封装,具有小尺寸、高可靠性的特点,适用于对空间要求严格的便携式电子设备。 典型应用场景包括:便携式消费类电子产品(如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等)中的电源管理与负载开关,用于控制不同模块的供电通断;在电池供电设备中实现低静态电流的电源切换,以延长电池寿命;还可用于LED驱动电路中的开关控制,以及信号路由中的模拟开关功能。 BVSS84LT1G具有较低的导通电阻(RDS(on)),可在低栅极电压下工作,兼容3.3V或更低逻辑电平控制,适合现代低压数字系统。其稳定的性能和小型封装也使其广泛应用于工业控制、通信模块和传感器接口电路中,作为高效的开关元件。 总之,BVSS84LT1G因其低功耗、小体积和良好的开关特性,广泛用于各类需要高效、紧凑电源控制方案的电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 50V 130MA SOT-23-3MOSFET PFET 50V 130MA 10.0 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 mA |
| Id-连续漏极电流 | 130 mA |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor BVSS84LT1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BVSS84LT1G |
| Pd-PowerDissipation | 225 mW |
| Pd-功率耗散 | 225 mW |
| Qg-GateCharge | 2.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9.7 ns |
| 下降时间 | 1.7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 36pF @ 5V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 10 欧姆 @ 100mA,5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 10 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 130 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 130mA (Ta) |
| 系列 | BSS84L |
| 配置 | Single |