ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PHB45NQ10T,118
Datasheet下载- 型号： PHB45NQ10T,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PHB45NQ10T,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHB45NQ10T,118价格参考。NXP SemiconductorsPHB45NQ10T,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 47A（Tc） 150W（Tc） D2PAK。您可以下载PHB45NQ10T,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PHB45NQ10T,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHB45NQ10T,118 是 NXP USA Inc.（现属恩智浦半导体）推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，典型参数为：VDS = 100 V，ID（连续）= 45 A，RDS(on) ≈ 22 mΩ（@ VGS = 10 V），具备低导通损耗与良好开关性能。 该器件主要面向中高功率、中频开关应用，典型应用场景包括： ✅ DC-DC 转换器：如通信电源、服务器 PSU 中的同步整流或主开关管（Buck/Boost 架构）； ✅ 电机驱动：用于 24–48 V 工业/家电直流电机（如风扇、泵、电动工具）的 H 桥或单相驱动电路； ✅ 照明电子镇流器与 LED 驱动电源：支持高频 PWM 调光及恒流控制； ✅ 汽车电子辅助系统：符合 AEC-Q101 基础可靠性要求（注：需确认具体批次是否通过车规认证），适用于车载空调压缩机驱动、座椅调节、雨刮控制等非安全关键负载； ✅ 工业电源与 UPS 系统：作为输入级开关或逆变输出级器件，兼顾效率与热管理需求。 其 TO-220 封装便于散热设计，适合中等功率密度场景；但不适用于高频谐振拓扑（如 GaN/SiC 主导的 >1 MHz 应用）或极端高温环境（需配合合理散热器）。选型时建议关注驱动电压兼容性（推荐 VGS = 10 V 全开通）、PCB 布局寄生电感及并联使用时的均流匹配。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 47A D2PAKMOSFET TRENCH-100 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PHB45NQ10T,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PHB45NQ10T,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 185 ns |
| 下降时间 | 226 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 61nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 25 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-5943-6 |
| 典型关闭延迟时间 | 424 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 47A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 PHB45NQ10T |
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