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Datasheet下载- 型号： IRFD310PBF
- 制造商： Vishay
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IRFD310PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD310PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD310PBF价格参考。VishayIRFD310PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 400V 350mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP。您可以下载IRFD310PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD310PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRFD310PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）： IRFD310PBF适用于各种开关电源设计，例如DC-DC转换器、AC-DC适配器和电源模块。其低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（600V）使其能够高效地处理高压和大电流负载。 2. 电机驱动： 该器件可用于小型电机控制电路中，例如家用电器中的风扇、泵或玩具电机。其快速开关特性和较低的功耗有助于提高电机驱动效率。 3. 逆变器： 在光伏逆变器或其他类型的逆变器中，IRFD310PBF可以作为开关元件使用，实现直流到交流的转换。其高耐压能力确保了在高压环境下的稳定运行。 4. 负载切换： 用于需要频繁开启或关闭负载的应用场景，例如LED照明系统或汽车电子设备中的负载切换。它能够快速响应并减少能量损失。 5. 脉宽调制（PWM）控制器： 在音频放大器或灯光调光器等应用中，IRFD310PBF可以用作PWM信号的开关元件，提供精确的输出控制。 6. 保护电路： 由于其较高的耐用性和可靠性，该MOSFET也可用于过流保护、短路保护或浪涌抑制电路中。 总之，IRFD310PBF凭借其出色的电气性能和稳定性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别适合需要高压、高频和高效能的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIPMOSFET N-Chan 400V 0.35 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 350 mA |
| Id-连续漏极电流 | 350 mA |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD310PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD310PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1000 mW |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 9.9 ns |
| 下降时间 | 9.9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.6 欧姆 @ 210mA，10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD310PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 21 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3.6 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 400 V |
| 漏极连续电流 | 350 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 400V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 350mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
