ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > TPH12008NH,L1Q
Datasheet下载- 型号： TPH12008NH,L1Q
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TPH12008NH,L1Q由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TPH12008NH,L1Q价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TPH12008NH,L1Q封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 80V 24A（Tc） 1.6W（Ta），48W（Tc） 8-SOP Advance（5x5）。您可以下载TPH12008NH,L1Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TPH12008NH,L1Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
TPH12008NH,L1Q 是 Toshiba Semiconductor and Storage 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。这款晶体管属于增强型 N 沟道器件，适用于多种电力电子应用场景。 主要特点： - 低导通电阻：该 MOSFET 具有较低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少功率损耗，提高效率。 - 高耐压能力：能够承受较高的漏源电压 (Vds)，适用于高压应用环境。 - 快速开关特性：具备较快的开关速度，适合高频开关电源和逆变器等应用。 - 低栅极电荷：有助于降低驱动损耗，提高整体系统效率。 应用场景： 1. 开关电源 (SMPS)： - TPH12008NH,L1Q 可用于设计高效的开关电源，如笔记本电脑适配器、LED 驱动器和工业电源。其低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中表现出色。 2. 电机驱动： - 适用于小型电机驱动电路，如无人机、机器人和消费类电子产品中的无刷直流电机 (BLDC) 控制。MOSFET 的低导通电阻可以减少发热，延长设备使用寿命。 3. 电池管理系统 (BMS)： - 在电池管理系统中，该 MOSFET 可用于电池充放电控制和保护电路。其高耐压能力和低导通电阻有助于提高电池的安全性和效率。 4. 光伏逆变器： - 用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供给家庭或电网使用。MOSFET 的高效开关性能有助于提高逆变器的整体效率。 5. 负载开关： - 在便携式电子设备和通信设备中，作为负载开关使用，实现对不同负载的快速切换和保护功能。 6. DC-DC 转换器： - 在各类 DC-DC 转换器中，如降压 (Buck) 和升压 (Boost) 转换器，TPH12008NH,L1Q 可以有效提升转换效率，减少能量损失。 总之，TPH12008NH,L1Q 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效、快速开关和低损耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1490 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 80V 24A SOPMOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 44 A |
| Id-连续漏极电流 | 44 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH12008NH |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TPH12008NH,L1Q- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TPH12008NH |
| 产品型号 | TPH12008NH,L1QTPH12008NH,L1Q |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 22 nC |
| Qg-栅极电荷 | 22 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 7.4 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 300µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1900pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.3 毫欧 @ 12A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SOP 高级 |
| 其它名称 | TPH12008NHL1QCT |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 48W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Toshiba |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | SOP-8 |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 80V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/umosh-mosfets/52364 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 24A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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