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Datasheet下载- 型号： PMPB19XP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PMPB19XP,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMPB19XP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMPB19XP,115价格参考。NXP SemiconductorsPMPB19XP,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， P-Channel 20V 7.2A (Ta) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount DFN2020MD-6。您可以下载PMPB19XP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMPB19XP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PMPB19XP,115 是一款P沟道MOSFET晶体管，属于表面贴装型功率MOSFET，广泛应用于各类电子设备中。其主要应用场景包括便携式电子产品、电源管理模块和负载开关电路。 该器件常用于电池供电设备，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，作为电源开关或电压反向保护元件，因其低导通电阻（RDS(on)）和小封装（如SOT457），有助于降低功耗并节省PCB空间。此外，PMPB19XP,115也适用于DC-DC转换器中的同步整流或高端/低端开关，提升电源转换效率。 在电机控制、LED驱动和小型家电中，该MOSFET可用于控制小功率负载的通断。其稳定的性能和高可靠性也使其适用于工业控制和汽车电子中的辅助电源系统，如车载信息娱乐设备或传感器电源管理。 总体而言，PMPB19XP,115凭借其高效能、小型化和稳定性，适合对空间和能效要求较高的消费类、工业及汽车电子应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.2A 6DFNMOSFET PMPB19XP/SOT1220/REEL7 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 10.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 10.3 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMPB19XP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMPB19XP,115 |
| Pd-PowerDissipation | 12.5 W |
| Pd-功率耗散 | 12.5 W |
| Qg-GateCharge | 28.8 nC |
| Qg-栅极电荷 | 28.8 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 19 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 19 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.68 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.68 V |
| 上升时间 | 54 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2890pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 43.2nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22.5 毫欧 @ 7.2A， 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-DFN2020MD （2x2） |
| 其它名称 | 568-10814-1 |
| 典型关闭延迟时间 | 43 ns |
| 功率-最大值 | 1.7W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 19 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020MD-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 10.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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