Datasheet下载- 型号： FDA69N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA69N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA69N25价格参考。Fairchild SemiconductorFDA69N25封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDA69N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDA69N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDA69N25 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别的产品。以下是其主要应用场景： 1. 开关电源 (SMPS) FDA69N25 的高耐压特性（250V 额定电压）使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用，例如 AC-DC 或 DC-DC 转换器。它可以高效地控制电流的通断，适用于适配器、充电器和工业电源等。 2. 电机驱动 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路中，例如家用电器、风扇、泵或电动工具中的电机控制。其低导通电阻（典型值为 1.4Ω）有助于减少功率损耗，提高效率。 3. 负载开关 在需要高效负载切换的应用中，FDA69N25 可作为负载开关使用。它能够快速响应并控制负载的开启与关闭，适用于消费电子设备、汽车电子和工业控制系统。 4. 逆变器电路 由于其高耐压能力和良好的开关性能，FDA69N25 可用于小型逆变器电路中，将直流电转换为交流电，为照明设备（如 LED 灯或荧光灯）或其他交流负载供电。 5. 保护电路 该器件可应用于过流保护、短路保护或电池管理系统的开关元件。通过精确控制栅极电压，可以实现对电流的有效限制和保护功能。 6. 音频放大器 在一些低功率音频放大器设计中，FDA69N25 可用作输出级开关元件，提供高效的信号放大和驱动能力。 7. 汽车电子 在汽车领域，该 MOSFET 可用于车身控制模块、灯光控制、雨刷系统或座椅调节等应用中，满足车载环境对可靠性和耐用性的要求。 总结来说，FDA69N25 凭借其高耐压、低导通电阻和出色的开关性能，广泛适用于各种工业、消费类和汽车电子应用中，特别是在需要高效功率控制和开关操作的场景下表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3PMOSFET 250V N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 69 A |
| Id-连续漏极电流 | 69 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA69N25UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDA69N25 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 480 W |
| Pd-功率耗散 | 480 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 41 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 885 ns |
| 下降时间 | 220 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4640pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 41 毫欧 @ 34.5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 130 ns |
| 功率-最大值 | 480W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 69A （Tc） |
| 系列 | FDA69N25 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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