Datasheet下载- 型号： FQU8P10TU
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQU8P10TU由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQU8P10TU价格参考。Fairchild SemiconductorFQU8P10TU封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQU8P10TU参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQU8P10TU 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQU8P10TU 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款P沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。其主要特点包括低导通电阻、高耐压（100V）和良好的热稳定性，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计。 该器件广泛应用于以下领域： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器，用于提高转换效率，尤其在低电压高电流的场合表现优异。 2. 负载开关：用于控制电源到负载的通断，如在服务器、计算机主板、电池供电设备中作为高侧或低侧开关。 3. 电机控制：在小型电机或风扇控制电路中作为功率开关，实现PWM调速等功能。 4. 汽车电子：如车载电源系统、LED照明控制等，因其具备良好的稳定性和耐环境能力。 5. 工业控制：用于PLC、工业电源、继电器替代等场景，提供高效、快速的开关控制。 该MOSFET采用TSSOP封装，适合表面贴装，便于自动化生产和小型化设计。在使用时需注意栅极驱动电压匹配和散热设计，以充分发挥其性能优势。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAKMOSFET -100V Single |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 6.6 A |
| Id-连续漏极电流 | - 6.6 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQU8P10TUQFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FQU8P10TU |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 410 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 410 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 110 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 470pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 530 毫欧 @ 3.3A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 343.080 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 封装/箱体 | IPAK-3 |
| 工厂包装数量 | 70 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 70 |
| 正向跨导-最小值 | 4.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A （Tc） |
| 系列 | FQU8P10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | FQU8P10TU_NL |
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