Datasheet下载- 型号： RTQ020N03TR
- 制造商： ROHM Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供RTQ020N03TR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RTQ020N03TR价格参考。ROHM SemiconductorRTQ020N03TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载RTQ020N03TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有RTQ020N03TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的RTQ020N03TR是一款N沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET），广泛应用于各类电子设备中。该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合在便携式电子产品和高效率电源管理场合使用。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品的电源开关和负载开关电路；电池供电设备中的电源管理模块，如电动工具、移动电源和无线耳机；以及DC-DC转换器、电压调节模块（VRM）和同步整流电路中，用于提高转换效率并降低功耗。 此外，RTQ020N03TR也适用于电机驱动、LED驱动和小型家电控制电路，因其封装小巧（通常为SOP-8或类似小型封装），有助于节省PCB空间，适合高密度布局设计。其30V的漏源电压和20A的连续漏极电流能力，使其在中低功率应用中表现稳定可靠。 综上，RTQ020N03TR凭借其高性能与紧凑设计，广泛用于消费电子、工业控制和电源管理系统中，是实现高效能、低功耗设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
| Id-连续漏极电流 | 2 A |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RTQ020N03TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | RTQ020N03TR |
| Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
| Pd-功率耗散 | 1.25 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 138 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 138 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 135pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TSMT6 |
| 其它名称 | RTQ020N03DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 138 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 封装/箱体 | TSMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/ROHM/MOSFET_ECOMOS.html |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |
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