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PSMN6R0-30YLB,115产品简介:
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PSMN6R0-30YLB,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):该 MOSFET 具有低导通电阻(Rds(on) = 6 mΩ @ Vgs = 10V),适用于高效能的 DC-DC 转换器和开关电源设计。 - 负载开关:由于其低导通电阻和快速开关特性,适合用作负载开关以控制电路中的电流流动。 - 电池管理系统 (BMS):可用于保护电池免受过流或短路的影响。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于驱动小型直流电机或步进电机,提供高效的功率传输和低损耗。 - H 桥电路:在 H 桥配置中用于正反向控制电机运行。 3. 工业应用 - 固态继电器:作为电子开关替代传统机械继电器,实现更长寿命和更高可靠性。 - 工业自动化设备:如 PLC 输出级开关,用于控制传感器、执行器等。 4. 消费电子 - 笔记本电脑和移动设备:用于内部电源管理和散热控制。 - LED 驱动:为高亮度 LED 提供稳定的电流源,确保亮度一致性和延长 LED 寿命。 5. 汽车电子 - 车载电子系统:例如车窗升降器、座椅调节器、雨刷控制器等。 - 新能源汽车 (EV/HEV):可用于辅助系统的电源管理,如空调压缩机、水泵等。 6. 通信设备 - 基站电源模块:在通信基站中用作高效功率转换元件。 - 网络设备:如路由器、交换机中的电源管理部分。 特性总结 - 额定电压:30V,适用于低压应用。 - 额定电流:高达 115A(脉冲电流),支持大电流负载。 - 封装形式:LFPAK88-115,具有良好的散热性能和紧凑尺寸。 综上所述,PSMN6R0-30YLB,115 广泛应用于需要高效功率转换、低损耗和高可靠性的各种场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PSMN6R0-30YLB,115 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.95V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1088pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 20A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-9718-6 |
功率-最大值 | 58W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 71A (Tmb) |