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Datasheet下载- 型号： PSMN6R0-30YLB,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PSMN6R0-30YLB,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN6R0-30YLB,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN6R0-30YLB,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN6R0-30YLB,115封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 71A（Tc） 58W（Tc） LFPAK56，Power-SO8。您可以下载PSMN6R0-30YLB,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN6R0-30YLB,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN6R0-30YLB,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 6.0 mΩ @ Vgs=10V，6.8 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=100A，脉冲可达320A）及优异的热性能。 其典型应用场景包括： ✅ 高效DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块，显著降低导通损耗，提升能效。 ✅ 电机驱动与电子负载控制：适用于无刷直流（BLDC）电机控制器、电动工具、风扇驱动等中高功率开关场景，支持高频PWM调制与快速开关（Qg≈60nC）。 ✅ 电池管理系统（BMS）与保护电路：作为主充放电路径的高侧/低侧开关，配合保护IC实现过流、短路及反向电池保护。 ✅ LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动或调光开关，具备强抗雪崩能力（UIS额定），保障系统可靠性。 ✅ 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101认证（注：该型号为工业级，但同系列有车规版本；实际选型需确认具体批次资质），可用于车载USB供电、座椅控制、HVAC执行器等非安全关键应用。 其逻辑电平驱动特性（4.5V即可充分导通）便于与MCU、DSP或驱动IC直接连接，简化外围电路设计；LFPAK56封装兼具小尺寸与优良散热性，适合紧凑型高功率密度设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | PSMN6R0-30YLB,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1088pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-9718-6 |
| 功率-最大值 | 58W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 工具箱 | /product-detail/zh/NXPMOSFET-DESIGNKIT/NXPMOSFET-DESIGNKIT-ND/4428862 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 71A （Tmb） |
