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产品简介:
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FQPF7N65C_F105 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其典型应用场景包括: 1. 开关电源 (SMPS): FQPF7N65C_F105 的高电压耐受能力(650V 额定击穿电压)使其非常适合用于开关电源中的高压开关应用,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器和功率因数校正 (PFC) 电路。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于工业自动化和消费电子中的电机驱动电路。其低导通电阻(Rds(on) 典型值为 0.48Ω @ Vgs=10V)有助于减少功率损耗,提高效率,适用于中小功率电机控制。 3. 逆变器: 在太阳能逆变器或 UPS(不间断电源)中,这款 MOSFET 可作为高频开关元件,实现高效的能量转换和管理。 4. 负载切换: 由于其高耐压特性和较低的导通电阻,FQPF7N65C_F105 可用于汽车电子、家电和其他需要负载切换的应用场景,确保可靠地开启或关闭高电压负载。 5. 电池管理系统 (BMS): 在电池保护和管理中,这款 MOSFET 可用作充放电路径的开关,提供过流保护和短路保护功能。 6. 照明系统: 用于 LED 照明驱动电路,支持高效调光和恒流控制,同时满足高电压输入的要求。 总结来说,FQPF7N65C_F105 以其高电压承受能力、低导通电阻和良好的开关性能,广泛应用于需要高效功率转换和控制的领域,如电源管理、电机驱动、逆变器和电池管理系统等。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 7A TO-220F |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | FQPF7N65C_F105 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | QFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1245pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.4 欧姆 @ 3.5A,10V |
供应商器件封装 | TO-220F |
功率-最大值 | 52W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Tc) |