Datasheet下载- 型号： IRFR120Z
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR120Z由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR120Z价格参考。International RectifierIRFR120Z封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFR120Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFR120Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFR120Z的晶体管，属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别，是一种单沟道增强型功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、快速开关特性的场合。 IRFR120Z的主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于提高能效和减小体积； 2. 电机控制：适用于小型电机驱动电路，如电动工具、风扇、泵类设备； 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电池供电系统中的负载通断； 4. 照明系统：在LED驱动电路中用于调光与恒流控制； 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的环境； 6. 消费电子产品：如充电器、适配器、智能家居设备中的功率控制部分。 该器件具有低导通电阻、耐高压大电流、封装小巧等特点，适合高频开关应用，有助于提升系统效率与稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFR120Z |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 310pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 190 毫欧 @ 5.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | *IRFR120Z |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.7A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru120z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru120z.spi |
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