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IRFB4410ZGPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB4410ZGPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB4410ZGPBF价格参考。International RectifierIRFB4410ZGPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 100V 97A(Tc) 230W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRFB4410ZGPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFB4410ZGPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的型号为IRFB4410ZGPBF的晶体管属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)中的单通道类型。该器件的主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):适用于高效能开关电源设计,如适配器、充电器和工业电源。 - DC-DC转换器:用于电压调节模块(VRM)或降压/升压转换器中,提供高效的功率转换。 - 负载切换:在需要快速开启或关闭负载电流的应用中表现优异。 2. 电机驱动 - 小型电机控制:应用于家用电器(如风扇、泵、压缩机)中的电机驱动电路。 - H桥和半桥电路:用于双向电机控制或多相电机驱动。 3. 汽车电子 - 车载电子系统:例如电动窗、座椅调节、雨刷控制等。 - LED驱动:用于车灯(如尾灯、转向灯、刹车灯)的高效驱动。 - 电池管理系统(BMS):在电动汽车或混合动力汽车中,用于电池充放电保护和能量管理。 4. 工业自动化 - 固态继电器:替代传统机械继电器,实现更长寿命和更高可靠性。 - 传感器接口:为各种工业传感器提供信号放大和驱动功能。 - 伺服驱动器:在精密运动控制系统中用作功率级元件。 5. 消费电子产品 - 音频设备:用于低噪声放大器或功率输出级。 - 游戏设备:如手柄振动马达驱动或散热风扇控制。 - 智能家居设备:如智能灯泡、恒温器和其他物联网(IoT)设备的功率控制。 6. 通信设备 - 基站辅助电路:用于功率分配和信号调理。 - 数据通信接口:如USB供电路径控制或以太网供电(PoE)应用。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高频率性能:适合高频开关应用。 - 良好的热稳定性:确保在高温环境下可靠运行。 - ESD保护:增强抗静电能力,提升产品耐用性。 综上所述,IRFB4410ZGPBF广泛应用于需要高效功率转换、快速开关和稳定性能的各种场景,尤其适合对能耗和散热有严格要求的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220ABMOSFET MOSFT 100V 97A 9mOhm 83nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 97 A |
Id-连续漏极电流 | 97 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB4410ZGPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRFB4410ZGPBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 230 W |
Pd-功率耗散 | 230 W |
Qg-GateCharge | 83 nC |
Qg-栅极电荷 | 83 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 7.2 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 7.2 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 150µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4820pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9 毫欧 @ 58A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
功率-最大值 | 230W |
功率耗散 | 230 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 7.2 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 83 nC |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 97 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 97A (Tc) |
闸/源击穿电压 | 20 V |