【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRLH5036TRPBF】封装/厂家_IRLH5036TRPBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRLH5036TRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRLH5036TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRLH5036TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLH5036TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLH5036TRPBF价格参考。International RectifierIRLH5036TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 60V 20A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），160W（Tc） 8-PQFN（5x6）。您可以下载IRLH5036TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRLH5036TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN
产品分类	FET - 单
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRLH5036TRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.5V @ 150µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	5360pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	90nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	4.4 毫欧 @ 50A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
供应商器件封装	PQFN（5x6）
其它名称	IRLH5036TRPBFCT
功率-最大值	3.6W
包装	剪切带（CT）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-PowerVQFN
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	60V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	20A （Ta）， 100A （Tc）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irlh5036pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irlh5036pbf.spi

样品试用

万种样品免费试用

去申请

IRLH5036TRPBF 相关产品

IRFR4105ZPBF

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系客服

NDB6060L

品牌：ON Semiconductor

价格：￥6.67-￥19.08

联系客服

BUK9Y104-100B,115

品牌：Nexperia USA Inc.

价格：

联系客服

AUIRF7484Q

品牌：Infineon Technologies

价格：

联系客服

MCH6436-TL-E

品牌：ON Semiconductor

价格：

联系客服

IRFR120TRL

品牌：Vishay Siliconix

价格：

联系客服

IRF8010PBF

品牌：Infineon Technologies

价格：￥4.72-￥4.72

联系客服

FQH70N10

品牌：ON Semiconductor

价格：

猜你喜欢最新产品推荐其他制造商

PDF Datasheet 数据手册内容提取

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET V 60 V DS R DS(on) max 5.5 mΩ (@V = 4.5V) GS Q 44 nC g (typical) R 1.2 Ω G (typical) I D 100(cid:0) A (@T = 25°C) PQFN 5X6 mm mb Applications • Secondary Side Synchronous Rectification • Inverters for DC Motors • DC-DC Brick Applications • Boost Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon (< 5.5 mΩ @ Vgs = 4.5V ) Lower Conduction Losses Low Thermal Resistance to PCB (< 0.8°C/W) Enables better thermal dissipation 100% Rg tested Increased Reliability Low Profile (<0.9 mm) results in Increased Power Density Industry-Standard Pinout ⇒ Multi-Vendor Compatibility Compatible with Existing Surface Mount Techniques Easier Manufacturing RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen Environmentally Friendlier MSL1, Industrial Qualification Increased Reliability Standard Pack Orderable part number Package Type Note Form Quantity IRLH5036TRPbF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 4000 IRLH5036TR2PbF PQFN 5mm x 6mm Tape and Reel 400 EOL notice # 259 Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 60 DS V V Gate-to-Source Voltage ± 16 GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 20 D A GS I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ 10V 16 D A GS I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 100(cid:3) A D mb GS I @ T = 100°C Continuous Drain Current, V @ 10V 100(cid:3) D mb GS I Pulsed Drain Current (cid:0) 400 DM P @T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 3.6 D A W P @ T = 25°C Power Dissipation (cid:2) 160 D mb Linear Derating Factor (cid:2) 0.029 W/°C T Operating Junction and -55 to + 150 J °C T Storage Temperature Range STG Notes(cid:2)(cid:2) through (cid:2) are on page 9 (cid:3)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 60 ––– ––– V V = 0V, I = 250uA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.07 ––– V/°C Reference to 25°C, I = 1.0mA DSS J D R Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 3.7 4.4 V = 10V, I = 50A (cid:5) DS(on) mΩ GS D ––– 4.6 5.5 V = 4.5V, I = 50A (cid:5) GS D V Gate Threshold Voltage 1.0 ––– 2.5 V GS(th) V = V , I = 150μA ΔV Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.6 ––– mV/°C DS GS D GS(th) I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 20 V = 60V, V = 0V DSS μA DS GS ––– ––– 250 V = 60V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 V = 16V GSS nA GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -16V GS gfs Forward Transconductance 109 ––– ––– S V = 25V, I = 50A DS D Q Total Gate Charge ––– 90 ––– nC V = 10V, V = 30V, I = 50A g GS DS D Q Total Gate Charge ––– 44 66 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 9.5 ––– V = 30V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 4.5 ––– V = 4.5V gs2 nC GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 18 ––– I = 50A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 12 ––– godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 23 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 21 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS RG Gate Resistance ––– 1.2 ––– Ω t Turn-On Delay Time ––– 23 ––– V = 30V, V = 4.5V d(on) DD GS t Rise Time ––– 48 ––– I = 50A r ns D t Turn-Off Delay Time ––– 28 ––– R =1.7Ω d(off) G t Fall Time ––– 15 ––– f C Input Capacitance ––– 5360 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 600 ––– pF V = 25V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 250 ––– ƒ = 1.0MHz rss Avalanche Characteristics Parameter Typ. Max. Units E Single Pulse Avalanche Energy (cid:0) ––– 286 mJ AS I Avalanche Current (cid:2) ––– 50 A AR Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current MOSFET symbol S ––– ––– 100(cid:4) D (Body Diode) showing the A I Pulsed Source Current integral reverse G SM ––– ––– 400 (Body Diode)(cid:3)(cid:2) p-n junction diode. S V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.3 V T = 25°C, I = 50A, V = 0V (cid:5) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 28 42 ns T = 25°C, I = 50A, V = 30V rr J F DD Q Reverse Recovery Charge ––– 134 201 nC di/dt = 500A/μs (cid:5)(cid:3) rr t Forward Turn-On Time Time is dominated by parasitic Inductance on Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJ-mb Junction-to-Mounting Base 0.5 0.8 RθJC (Top) Junction-to-Case (cid:0) ––– 15 °C/W RθJA Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 35 RθJA (<10s) Junction-to-Ambient (cid:2) ––– 22 (cid:13)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1000 1000 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 10V 10V CAuenr()rt 100 BOTTOM 443322......503197VVVVVV CAunerr()t 100 BOTTOM 443322......503197VVVVVV e e ucr 10 ucr o o S S o- o- 2.7V n-t n-t 10 Dari 1 2.7V Dari ,D , D I ≤60μs PULSE WIDTH I ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 1. Typical Output Characteristics Fig 2. Typical Output Characteristics 1000 2.0 nec ID = 50A A()nt 100 Raessti 11..68 VGS = 10V e n CSoueucrrr 10 TJ = 150°C OSoouec-r medaz)li11..24 Danor--I t,iD 1 TJ = 2V≤56D°C0Sμ s= P2U5VLSE WIDTH Danr- t,iRDSon() No(r 01..80 0.1 0.6 1.5 2.5 3.5 4.5 5.5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 3. Typical Transfer Characteristics Fig 4. Normalized On-Resistance Vs. Temperature 100000 14 VGS = 0V, f = 1 MHZ I = 50A Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED D VDS= 48V 12 Crss = Cgd V) VDS= 30V Coss = Cds + Cgd e( VDS= 12V Fp) 10000 oagtl 10 anec( Ciss Vuecr 8 cti So pa o- 6 Ca e-t C, 1000 Coss Gat 4 , S G Crss V 2 100 0 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 5. Typical Capacitance Vs.Drain-to-Source Voltage Fig 6. Typical Gate Charge Vs.Gate-to-Source Voltage #(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) Auenrr()t 100 TJ = 150°C CAuenr()rt 1000 100μsec Cn ec 100 10msec ai ur Dr So Reeevsr 10 TJ = 25°C Danor--ti 10 Limited by Package 1msec ,DS , D 1 Tc = 25°C DC I I Tj = 150°C VGS = 0V Single Pulse 1.0 0.1 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 0.1 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 8. Maximum Safe Operating Area 3.0 150 Limited By Package V) 125 e( 2.5 g a A) otl en( t 100 Vdo l 2.0 urr hs CDnar i 75 ehear tt 1.5 ID = 1.0A I,D 50 G,h) IIDD == 11.500mμAA S(t 1.0 25 G V 0.5 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 9. Maximum Drain Current Vs. Fig 10. Threshold Voltage Vs. Temperature Case (Bottom) Temperature 1 D = 0.50 W C/ 0.20 °) 0.1 0.10 C J 0.02 h Zes( t0.01 00..0015 n o p s e R SINGLE PULSE a l ( THERMAL RESPONSE ) m0.001 er h Notes: T 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom) $(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Ω) 12 1200 m( ec ID = 50A myJ() 1000 TOP I1D5A anssti 10 Enegr B O T T O M 1 580AA Re e 800 On 8 nhc uecr TJ = 125°C Aaavl 600 Snoo--t 6 Puees l 400 ai gl Dr, Son() 4 TJ = 25°C Sn, iEAS 200 D R 2 0 2 4 6 8 10 12 14 16 25 50 75 100 125 150 Starting T , Junction Temperature (°C) VGS, Gate -to -Source Voltage (V) J Fig 12. On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 13. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current 1000 Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔTj = 125°C and 100 Tstart =25°C (Single Pulse) A) n(t e urr C e 10 h c n a al v A 1 Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔΤj = 25°C and Tstart = 125°C. 0.1 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 tav (sec) Fig 14. Typical Avalanche Current vs. Pulsewidth (cid:15)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Driver Gate Drive (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:22) (cid:3) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:7)(cid:3)(cid:12)(cid:13)(cid:14) VGS=10V • (cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:8)(cid:18)(cid:7)(cid:4)(cid:10)(cid:11)(cid:8)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:10)(cid:13)(cid:5)(cid:16) (cid:8)(cid:8) • (cid:20)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:13)(cid:15)(cid:8)(cid:21)(cid:22)(cid:10)(cid:13)(cid:16) - (cid:8)(cid:8) • (cid:9)(cid:12)(cid:17)(cid:8)(cid:9)(cid:16)(cid:10)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:16)(cid:8)(cid:19)(cid:13)(cid:15)(cid:6)(cid:5)(cid:7)(cid:10)(cid:13)(cid:5)(cid:16) (cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:8)(cid:2)(cid:6)(cid:4)(cid:4)(cid:16)(cid:13)(cid:7)(cid:8)(cid:25)(cid:4)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:26)(cid:12)(cid:4)(cid:27)(cid:16)(cid:4) D.U.T. ISDWaveform + (cid:5) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:6) dv/dt VDD (cid:3) (cid:18)(cid:20) • (cid:15)(cid:29)(cid:30)(cid:15)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:4)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:8) (cid:2) (cid:28)(cid:28) Re-Applied • (cid:28)(cid:4)(cid:3)(cid:29)(cid:16)(cid:4)(cid:8)(cid:14)(cid:10)(cid:27)(cid:16)(cid:8)(cid:7)(cid:11)!(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:14)(cid:8)(cid:28)"#"(cid:25)" + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:19)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:5)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:4)(cid:12)(cid:22)(cid:22)(cid:16)(cid:15)(cid:8)(cid:31)(cid:11)(cid:8)(cid:28)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:8)$(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:12)(cid:4)(cid:8)%(cid:28)% - Inductor Curent • (cid:28)"#"(cid:25)"(cid:8)&(cid:8)(cid:28)(cid:16)(cid:29)(cid:3)(cid:5)(cid:16)(cid:8)#(cid:13)(cid:15)(cid:16)(cid:4)(cid:8)(cid:25)(cid:16)(cid:14)(cid:7) Ripple ≤ 5% ISD (cid:22)(cid:2)(cid:3) (cid:2)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:3)(cid:2)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:2)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:2)(cid:9)(cid:13)(cid:14)(cid:13)(cid:15)(cid:2)(cid:16)(cid:13)(cid:14)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:17) (cid:20)(cid:18) Fig 15. (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:2)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:4)(cid:2)(cid:11)(cid:4)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:15)(cid:2)(cid:10)(cid:13)(cid:16)(cid:10)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:4)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:20)(cid:8)(cid:14)(cid:12)(cid:21)(cid:8)(cid:17)(cid:2)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFETs V(BR)DSS 15V tp VDS L DRIVER RG D.U.T + - VDD IAS A 20V tp 0.01Ω IAS Fig 16b. Unclamped Inductive Waveforms Fig 16a. Unclamped Inductive Test Circuit (cid:18)(cid:28) V (cid:3) DS (cid:28)(cid:18) 90% (cid:3) (cid:20)(cid:18) (cid:16)(cid:19)(cid:20)(cid:19)(cid:21)(cid:19) (cid:18) (cid:20) +(cid:3) - (cid:28)(cid:28) 10% (cid:3)(cid:22)(cid:20)(cid:23)(cid:18)(cid:3) VGS (cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:14)(cid:16)(cid:8)’(cid:3)(cid:15)(cid:7)((cid:8)≤ 1 )(cid:14) (cid:28)(cid:6)(cid:7)(cid:11)(cid:8)$(cid:10)(cid:5)(cid:7)(cid:12)(cid:4)(cid:8)≤ 0.1 td(on) tr td(off) tf Fig 17b. Switching Time Waveforms Fig 17a. Switching Time Test Circuit Id Vds Vgs L VCC DUT 0 Vgs(th) 1K S Qgs1 Qgs2 Qgd Qgodr Fig 18a. Gate Charge Test Circuit Fig 18b. Gate Charge Waveform %(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) PQFN 5x6 Outline "B" Package Details PQFN 5x6 Outline "G" Package Details For more information on board mounting, including footprint and stencil recommendation, please refer to application note AN-1136: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1136.pdf For more information on package inspection techniques, please refer to application note AN-1154: http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-1154.pdf Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ &(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) PQFN 5x6 Part Marking INTERNATIONAL RECTIFIER LOGO DATE CODE XXXX PART NUMBER ASSEMBLY (“4 or 5 digits”) SITE CODE XYWWX MARKING CODE (Per SCOP 200-002) (Per Marking Spec) XXXXX PIN 1 IDENTIFIER LOT CODE (Eng Mode - Min last 4 digits of EATI#) (Prod Mode - 4 digits of SPN code) PQFN 5x6 Tape and Reel REEL DIMENSIONS TAPE DIMENSIONS CODE DESCRIPTION Ao Dimension design to accommodate the component width Bo Dimension design to accommodate the component lenght Ko Dimension design to accommodate the component thickness W Overall width of the carrier tape P1 Pitch between successive cavity centers QUADRANT ASSIGNMENTS FOR PIN 1 ORIENTATION IN TAPE Note: All dimension are nominal Package Reel QTY Reel Ao Bo Ko P1 W Pin 1 Type Diameter Width (mm) (mm) (mm) (mm) (mm) Quadrant (Inch) W1 (mm) 5 X 6 PQFN 13 4000 12.4 6.300 5.300 1.20 8.00 12 Q1 Note: For the most current drawing please refer to IR website at: http://www.irf.com/package/ ’(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12) Qualification information† Industrial†† Qualification level (per JEDEC JESD47F ††† guidelines ) MSL1 Moisture Sensitivity Level PQFN 5mm x 6mm (per JEDEC J-STD-020D††† ) RoHS compliant Yes (cid:3) Qualification standards can be found at International Rectifier’s web site http://www.irf.com/product-info/reliability (cid:3)(cid:3)(cid:2) Higher qualification ratings may be available should the user have such requirements. Please contact your International Rectifier sales representative for further information: http://www.irf.com/whoto-call/salesrep/ (cid:3)(cid:3)(cid:3) (cid:2) Applicable version of JEDEC standard at the time of product release. (cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11) (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:5)(cid:2)(cid:2)Starting T = 25°C, L = 0.229mH, R = 50Ω, I = 50A. J G AS (cid:3)(cid:2)Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. (cid:4) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:7)(cid:4)When mounted on 1 inch square 2 oz copper pad on 1.5x1.5 in. board of FR-4 material. (cid:2)(cid:2)Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Package is limited to 100A by production test capability Revision History Date Comments • Updated ordering information to reflect the End-Of-life (EOL) of the mini-reel option (EOL notice #259) 12/16/2013 • Updated data sheet with new IR corporate template • Updated package outline for “option B” and added package outline for “option G” on page 7 4/28/2015 • Updated tape and reel on page 8. • Updated package outline for “option G” on page 7. 5/20/2015 • Updated "IFX logo" on page 1 and page 9. IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA To contact International Rectifier, please visit http://www.irf.com/whoto-call/ ((cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:5)(cid:5)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:4)(cid:2)(cid:3)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:4)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:8)(cid:17)(cid:20)(cid:18)(cid:7)(cid:11)(cid:17)(cid:20)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:19)(cid:10)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:19)(cid:8)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:24)(cid:25)(cid:12)(cid:7)(cid:18)(cid:4)(cid:26)(cid:20)(cid:18)(cid:20)(cid:27)(cid:28)(cid:19)(cid:19)(cid:18)(cid:4)(cid:29)(cid:19)(cid:19)(cid:30)(cid:25)(cid:20)(cid:10)(cid:31)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4) (cid:20)!(cid:4)(cid:13)(cid:14)"(cid:4)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)