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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6621TR1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6621TR1价格参考。International RectifierIRF6621TR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6621TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6621TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的型号为IRF6621TR1的晶体管,属于MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别,属于单个N沟道功率MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。 IRF6621TR1的典型应用场景包括: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源模块; 2. 电机控制:用于电动工具、家用电器和工业自动化中的电机驱动电路; 3. 负载开关:在电池管理系统、智能电表和嵌入式系统中作为高效率开关元件; 4. 照明系统:如LED驱动器和高效照明控制电路; 5. 汽车电子:用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET具有低导通电阻、高功率密度和良好热性能,适合高频开关应用,有助于提升系统效率并减小电路体积。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 12A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6621TR1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1460pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.1 毫欧 @ 12A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ SQ |
其它名称 | IRF6621TR1TR |
功率-最大值 | 2.2W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SQ |
标准包装 | 1,000 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta), 55A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6621.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6621.spi |