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Datasheet下载- 型号： AUIRFS4310Z
- 制造商： International Rectifier
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AUIRFS4310Z产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供AUIRFS4310Z由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 AUIRFS4310Z价格参考。International RectifierAUIRFS4310Z封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 120A（Tc） 250W（Tc） D2PAK。您可以下载AUIRFS4310Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有AUIRFS4310Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号 AUIRFS4310Z 是一款功率MOSFET器件，常用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。该器件符合汽车行业标准，具有高耐用性和热稳定性，因此其主要应用场景包括： 1. 汽车电子系统：如电动车窗、座椅调节、雨刷控制等电机驱动应用； 2. 直流电机控制：适用于工业自动化设备中的小型直流电机驱动； 3. 电源管理模块：用于DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）中，实现高效的能量传输与控制； 4. 负载开关应用：作为高侧或低侧开关，控制大电流负载的通断； 5. 逆变器和电源转换设备：在UPS（不间断电源）、太阳能逆变器等系统中用于功率转换。 该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（VDS）和良好散热设计，适合在高温、高负载环境下稳定工作，广泛应用于车载及工业控制领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 127A D2PAKMOSFET 100V 127A 6mOhm Automotive MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 127 A |
| Id-连续漏极电流 | 127 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier AUIRFS4310ZHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | AUIRFS4310Z |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 60 ns |
| 下降时间 | 57 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6860pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | * |
| 典型关闭延迟时间 | 55 ns |
| 功率-最大值 | 250W |
| 功率耗散 | 250 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 150 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 127 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
