图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: FDA20N50F
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

FDA20N50F产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FDA20N50F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA20N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDA20N50F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 388W(Tc) TO-3PN。您可以下载FDA20N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA20N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FDA20N50F 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,具有 500V 的高击穿电压(BVDSS),适用于多种高压应用场景。以下是其主要应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FDA20N50F 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地控制电压和电流,广泛应用于离线式开关电源、适配器和充电器中。

 2. 电机驱动
   - 在电机驱动应用中,该器件可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功耗,提高效率,适用于家用电器(如洗衣机、空调等)中的电机控制。

 3. 逆变器
   - 该 MOSFET 可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,将直流电转换为交流电。其快速开关能力和高耐压特性能够满足逆变器对可靠性和效率的要求。

 4. DC-DC 转换器
   - 在 DC-DC 转换器中,FDA20N50F 可作为主开关或同步整流器使用。它的高击穿电压和低导通电阻有助于实现高效的电压转换。

 5. 电磁阀控制
   - 该器件可用来驱动电磁阀,特别是在工业自动化设备中。通过精确控制电磁阀的开启和关闭,确保系统的稳定运行。

 6. 汽车电子
   - 在汽车电子系统中,FDA20N50F 可用于启动系统、照明控制、电动车窗以及电动座椅等应用。其高可靠性能够适应恶劣的工作环境。

 7. 保护电路
   - 由于其高耐压特性,FDA20N50F 可用于过压保护、短路保护等电路中,确保下游设备的安全运行。

 总结
FDA20N50F 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力,广泛应用于高压、高频的电力电子领域。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子,这款 MOSFET 都能提供出色的性能和可靠性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PNMOSFET 500V N-Channel

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

22 A

Id-连续漏极电流

22 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA20N50FUniFET™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FDA20N50F

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

388 W

Pd-功率耗散

388 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

260 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

260 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

500 V

Vds-漏源极击穿电压

500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

120 ns

下降时间

60 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3390pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

65nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

260 毫欧 @ 11A,10V

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-3PN

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

388W

包装

管件

单位重量

6.401 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-3P-3,SC-65-3

封装/箱体

TO-3PN-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

22A (Tc)

系列

FDA20N50

通道模式

Enhancement

配置

Single

FDA20N50F 相关产品

IRFU120PBF

品牌:Vishay Siliconix

价格:

FQP50N06L

品牌:ON Semiconductor

价格:¥4.68-¥11.91

IXTH6N120

品牌:IXYS

价格:

IRF3708S

品牌:Infineon Technologies

价格:

AUIRLR2703

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI7445DP-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

ZXMN2A14FTA

品牌:Diodes Incorporated

价格:

STD4NK50ZD-1

品牌:STMicroelectronics

价格: