ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDA20N50F
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDA20N50F产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA20N50F由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA20N50F价格参考。Fairchild SemiconductorFDA20N50F封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 500V 22A(Tc) 388W(Tc) TO-3PN。您可以下载FDA20N50F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDA20N50F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDA20N50F 是一款由 ON Semiconductor 提供的 N 沟道增强型 MOSFET,具有 500V 的高击穿电压(BVDSS),适用于多种高压应用场景。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FDA20N50F 的高耐压特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效地控制电压和电流,广泛应用于离线式开关电源、适配器和充电器中。 2. 电机驱动 - 在电机驱动应用中,该器件可用于控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少功耗,提高效率,适用于家用电器(如洗衣机、空调等)中的电机控制。 3. 逆变器 - 该 MOSFET 可用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中,将直流电转换为交流电。其快速开关能力和高耐压特性能够满足逆变器对可靠性和效率的要求。 4. DC-DC 转换器 - 在 DC-DC 转换器中,FDA20N50F 可作为主开关或同步整流器使用。它的高击穿电压和低导通电阻有助于实现高效的电压转换。 5. 电磁阀控制 - 该器件可用来驱动电磁阀,特别是在工业自动化设备中。通过精确控制电磁阀的开启和关闭,确保系统的稳定运行。 6. 汽车电子 - 在汽车电子系统中,FDA20N50F 可用于启动系统、照明控制、电动车窗以及电动座椅等应用。其高可靠性能够适应恶劣的工作环境。 7. 保护电路 - 由于其高耐压特性,FDA20N50F 可用于过压保护、短路保护等电路中,确保下游设备的安全运行。 总结 FDA20N50F 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关能力,广泛应用于高压、高频的电力电子领域。无论是消费电子、工业设备还是汽车电子,这款 MOSFET 都能提供出色的性能和可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3PNMOSFET 500V N-Channel |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 22 A |
| Id-连续漏极电流 | 22 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA20N50FUniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDA20N50F |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 388 W |
| Pd-功率耗散 | 388 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 260 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 260 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 120 ns |
| 下降时间 | 60 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3390pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 260 毫欧 @ 11A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 典型关闭延迟时间 | 100 ns |
| 功率-最大值 | 388W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3,SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 22A (Tc) |
| 系列 | FDA20N50 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |