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  • 型号: FQP3P50
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQP3P50产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3P50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3P50价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3P50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 500V 2.7A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP3P50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3P50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP3P50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有 50V 的最大漏源电压 (Vds) 和低至 1.8A 的连续漏极电流 (Id),适用于多种低功率和中等功率的应用场景。以下是 FQP3P50 的主要应用场景:

 1. 电源管理
   - 开关电源 (SMPS):FQP3P50 可用于小型开关电源的设计,例如适配器、充电器或 DC-DC 转换器中的开关元件。
   - 负载开关:在需要快速开启和关闭负载的电路中,FQP3P50 可用作高效的负载开关。
   - 电池保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流保护和充放电控制。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:FQP3P50 可用于驱动小型风扇、玩具电机或步进电机,适合需要低功耗和高效率的应用。
   - H 桥电路:在简单的 H 桥设计中,FQP3P50 可作为驱动部分,用于双向控制电机旋转方向。

 3. 信号切换
   - 信号隔离与切换:在需要将不同信号路径进行切换的场合(如音频信号切换或传感器信号路由),FQP3P50 可用作高性能的电子开关。
   - 继电器替代:由于其快速开关速度和低导通电阻,FQP3P50 可以替代传统机械继电器,用于更紧凑和可靠的设计。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制器或座椅调节系统中的小型电机驱动。
   - LED 照明驱动:用于汽车内部 LED 灯条或外部尾灯的亮度调节和开关控制。

 5. 消费类电子产品
   - 便携式设备:如蓝牙音箱、智能手表或健身追踪器中的电源管理和负载控制。
   - USB 充电端口保护:在 USB 集线器或移动电源中,FQP3P50 可用于防止过流或短路。

 6. 工业应用
   - 传感器接口:在工业自动化领域,FQP3P50 可用于控制传感器的供电或信号传输。
   - 小型泵或阀驱动:在需要低功率驱动的小型流体控制系统中,FQP3P50 是理想的选择。

 特点总结
FQP3P50 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。此外,其紧凑的封装形式(如 TO-92 或 SOT-23)也使其成为空间受限设计的理想选择。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220MOSFET 500V P-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.7 A

Id-连续漏极电流

2.7 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP3P50QFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

产品型号

FQP3P50

PCN封装

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

85 W

Pd-功率耗散

85 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.9 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

4.9 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 500 V

Vds-漏源极击穿电压

- 500 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

56 ns

下降时间

45 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

660pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

23nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.9 欧姆 @ 1.35A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220

典型关闭延迟时间

35 ns

功率-最大值

85W

包装

管件

单位重量

1.800 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

2.35 S

漏源极电压(Vdss)

500V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.7A (Tc)

系列

FQP3P50

通道模式

Enhancement

配置

Single

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