ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FQP3P50
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FQP3P50产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQP3P50由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP3P50价格参考。Fairchild SemiconductorFQP3P50封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 500V 2.7A(Tc) 85W(Tc) TO-220AB。您可以下载FQP3P50参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP3P50 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQP3P50 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有 50V 的最大漏源电压 (Vds) 和低至 1.8A 的连续漏极电流 (Id),适用于多种低功率和中等功率的应用场景。以下是 FQP3P50 的主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS):FQP3P50 可用于小型开关电源的设计,例如适配器、充电器或 DC-DC 转换器中的开关元件。 - 负载开关:在需要快速开启和关闭负载的电路中,FQP3P50 可用作高效的负载开关。 - 电池保护电路:用于锂离子电池或其他可充电电池组的过流保护和充放电控制。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:FQP3P50 可用于驱动小型风扇、玩具电机或步进电机,适合需要低功耗和高效率的应用。 - H 桥电路:在简单的 H 桥设计中,FQP3P50 可作为驱动部分,用于双向控制电机旋转方向。 3. 信号切换 - 信号隔离与切换:在需要将不同信号路径进行切换的场合(如音频信号切换或传感器信号路由),FQP3P50 可用作高性能的电子开关。 - 继电器替代:由于其快速开关速度和低导通电阻,FQP3P50 可以替代传统机械继电器,用于更紧凑和可靠的设计。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如车窗升降器、雨刷控制器或座椅调节系统中的小型电机驱动。 - LED 照明驱动:用于汽车内部 LED 灯条或外部尾灯的亮度调节和开关控制。 5. 消费类电子产品 - 便携式设备:如蓝牙音箱、智能手表或健身追踪器中的电源管理和负载控制。 - USB 充电端口保护:在 USB 集线器或移动电源中,FQP3P50 可用于防止过流或短路。 6. 工业应用 - 传感器接口:在工业自动化领域,FQP3P50 可用于控制传感器的供电或信号传输。 - 小型泵或阀驱动:在需要低功率驱动的小型流体控制系统中,FQP3P50 是理想的选择。 特点总结 FQP3P50 的低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性使其非常适合需要高效能和低损耗的应用场景。此外,其紧凑的封装形式(如 TO-92 或 SOT-23)也使其成为空间受限设计的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 500V 2.7A TO-220MOSFET 500V P-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2.7 A |
Id-连续漏极电流 | 2.7 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQP3P50QFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQP3P50 |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 85 W |
Pd-功率耗散 | 85 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.9 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.9 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 500 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 500 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
上升时间 | 56 ns |
下降时间 | 45 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.9 欧姆 @ 1.35A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
典型关闭延迟时间 | 35 ns |
功率-最大值 | 85W |
包装 | 管件 |
单位重量 | 1.800 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
正向跨导-最小值 | 2.35 S |
漏源极电压(Vdss) | 500V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.7A (Tc) |
系列 | FQP3P50 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |