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  • 型号: FQP12P10
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQP12P10由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQP12P10价格参考。Fairchild SemiconductorFQP12P10封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQP12P10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQP12P10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQP12P10是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道增强型MOSFET,常用于中高功率的开关应用。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理系统,尤其在需要高效能和低导通电阻的场合。

2. 电机控制:用于直流电机驱动电路中,作为功率开关元件,控制电机的启停和方向。

3. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)和小型逆变器中,作为功率转换的核心元件。

4. 电池供电设备:如便携式电子产品、电池管理系统(BMS)中,用于电池充放电控制与保护。

5. 工业控制:在工业自动化设备中,用于控制继电器、电磁阀等负载。

6. 汽车电子:适用于车载电源系统、LED照明控制等对可靠性要求较高的场景。

该器件具有低导通电阻、高耐压(100V)和较强电流承载能力(连续漏极电流12A),适合用于中等功率水平的高效开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 100V 11.5A TO-220

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQP12P10

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

800pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

290 毫欧 @ 5.75A,10V

供应商器件封装

TO-220

功率-最大值

75W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11.5A (Tc)

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