Datasheet下载- 型号： STW21NM60ND
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STW21NM60ND由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW21NM60ND价格参考。STMicroelectronicsSTW21NM60ND封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STW21NM60ND参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STW21NM60ND 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）的STW21NM60ND是一款N沟道增强型高压功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管类别。该器件具有600V的高漏源击穿电压和21A的大电流承载能力，适用于高效率、高功率密度的开关电源应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC电源转换器，如工业电源、服务器电源和电信设备电源模块，因其具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提升能效并降低功耗。 2. 照明系统：应用于电子镇流器、高强度放电灯（HID）和LED驱动电源中，支持高频工作，提高系统稳定性与寿命。 3. 电机驱动：适用于工业控制中的中小功率电机驱动电路，如家用电器、电动工具中的逆变或斩波控制环节。 4. 逆变器系统：可用于太阳能逆变器或UPS（不间断电源）中的DC-AC转换级，实现高效能量转换。 STW21NM60ND采用TO-247封装，具备良好的热性能和可靠性，适合在高温、高负载环境下稳定运行。其优化的栅极设计降低了开关损耗，同时增强了抗雪崩能力和dv/dt耐受性，提升了系统鲁棒性。总体而言，该MOSFET适用于需要高电压、高效率和高可靠性的工业与消费类电力电子设备。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 17A TO-247MOSFET N-channel 600V, 17A FDMesh II |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 17 A |
| Id-连续漏极电流 | 17 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW21NM60NDFDmesh™ II |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW21NM60ND |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| 上升时间 | 16 ns |
| 下降时间 | 48 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 220 毫欧 @ 8.5A，10V |
| 产品种类 | Power MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | 497-8453-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF185443?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 70 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 220 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 汲极/源极击穿电压 | 600 V |
| 漏极连续电流 | 17 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 17A （Tc） |
| 系列 | STW21NM60ND |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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