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- 型号： IXFQ23N60Q
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFQ23N60Q由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFQ23N60Q价格参考。IXYSIXFQ23N60Q封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFQ23N60Q参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFQ23N60Q 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFQ23N60Q是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有600V的高漏源击穿电压和23A的大电流承载能力，导通电阻低，开关速度快，适用于高效率、高频率的电力转换场景。 其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、服务器电源、通信电源等高功率开关电源中，作为主开关管使用，实现高效的电能转换。 2. 逆变器系统：适用于太阳能逆变器、UPS不间断电源等设备，用于直流到交流的转换，具备良好的热稳定性和动态响应能力。 3. 电机驱动：在交流或直流电机控制电路中，作为功率开关元件，用于PWM调速控制，常见于工业自动化和电动工具中。 4. DC-DC变换器：用于高压输入的升压或降压电路，如电动汽车辅助电源、充电桩模块等。 5. 照明电源：应用于高强度放电灯（HID）、LED驱动电源等高压照明系统中，提供稳定的功率开关功能。 IXFQ23N60Q采用TO-247封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。其优化的栅极结构降低了开关损耗，提高了系统整体效率。由于具备高耐压与强抗雪崩能力，该器件在恶劣工作环境下仍能保持可靠运行，是工业级和严苛应用环境中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IXFQ23N60Q |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | - |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 散装 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D³Pak（2 引线+接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
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